로옴 SiC, IGBT 대신 1700V 내압 제품에 채택
HV-H3TRB에서 1000시간 절연 파괴 버텨내
새 모듈, 로옴의 SiC MOSFET 및 SBD 채용

최근 SiC가 저전력 특징을 앞세워 자동차 및 산업기기의 1200V 내압 제품에 활발히 채택되고 있다. 반면 1700V 내압 제품에서는 신뢰성 문제 때문에 일반적으로 IGBT가 사용되어 왔다.  

이러한 상황에 대응하여 로옴은 7일, 저전력 특징을 유지하고 신뢰성을 높인 1700V 정격 Full SiC 파워 모듈 ‘BSM250D17P2E004’을 출시했다.  
로옴의 새로운 파워 모듈은 새로운 코팅 재료와 새로운 공법을 도입함으로써 절연 파괴를 방지하여 누설 전류를 억제하는데 성공했다. BSM250D17P2E004는 고온 고습 바이어스 시험(High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB)에서 1000시간을 초과해도 절연 파괴를 일으키지 않는다. 따라서 고온 고습 환경에서도 안심하고 1700V의 고내압을 취급할 수 있다.  
또 새 모듈에는 로옴의 SiC MOSFET 및 SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 채용하여 경쟁 제품 대비 10% 우수한 ON 저항 성능을 달성했다. 이로써 애플리케이션의 저전력화에도 기여한다.  

로움은 앞으로도 고객이 안심하고 사용할 수 있는 제품의 라인업을 확충할 계획이다.