다양한 위협 요인으로부터 회로 보호하기 (Circuit Protection)

2017-04-10 08:00~14:00

Texas Instruments / 문성민 대리

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dreamforkim : 안녕하십니까. 컴퓨터공학전공 대학생입니다. 질문은 다음과 같습니다. mosFET 허용C 전압을 두배이상 차이나게 회로를 만능기판에 땜질하여 사용을 해보고 있습니다. 그런데... 가끔있는 일이지만 FET가 타버리는 현상이 있습니다. 어떤 현상으로인해 생길 수 있는지 궁금합니다. (FET를 병렬로 연결하게되면 이러한 현상은 거의 적습니다.) 전자회로를 고등학교시절 배웠지만... 지금에 와서 다시 공부하려니 어렵기만 합니다. (선배님)(선생님)분들의 강의를 매번 볼 때마다 열심히 해야겠다는 생각이 듭니다. 강의 감사히 들었습니다. 50 p 2017-04-11 오후 5:10:42

e4ds_master : 아, 착각하신 듯 한데... 저는 일반 회원이에요. 그냥 아이디 만들다보니 사이트 마스터 같이 만들어져서 질문이 종종 오네요~ ㅎㅎㅎ 화이팅 하세요 2017-12-19 오전 10:38:10

ds4oju : 업무에 도움이 많이 되겠네요 감사합니다. 2018-02-13 오후 4:01:29

eleazar4291 : mosFET 가 망가질수 있는 원인은 무궁무진 합니다. 1. 게이트 전압이 허용전압을 벗어날 경우 2. 소스 드레인간 허용전압, 전류를 벗어날 경우 위 두가지 사례가 흔하기는 한데 위에것은 데이터시트만 잘 봐도 문제가 생기지 않습니다. 그리고 기본적으로 게이트에 전압분배 또는 전류제한 저항으로 제한을 둡니다. 회로를 볼때 많이 착각할수 있는 부분이 있습니다. 전원 입력조건을 항상 이상적으로 생각하기 때문에 문제가 발생합니다. 트랜지스터가 동작하게 될때 발생하는 in-rush Current 및 부하로 인해 정상 작 범위를 벗어날수 있는 경우가 흔합니다. 더군다나 이런 문제는 중요한 문제이나 많이 놓치는 부분이기도 합니다. 2018-02-19 오전 8:50:57

sdsagong@ : 수고하셨습니다 2018-02-19 오후 12:34:15

eggfacy : 감사합니다. 2018-03-05 오전 8:19:42

ksk6015 : ^^ 2019-01-08 오후 10:45:48

kht0103 : FET가 탔다고 하면 먼저 2가지 정도를 생각해 볼수 있겠네요 ..! 첫번째는 과전류가 흘러서 부품이 소손이 되었던지~~ 두번재는 Gate에 Turn on 하는 Balance 저항 값 설정이 잘못 되었던지 그럴것 같습니다. 좀더 정확한 것은 자료를 보아야 하나 상의 2가지가 의심 됩니다. 2019-01-29 오전 8:57:57

haides : 감사합니다. 2019-04-17 오전 9:48:13

jkkong : FET를 병렬로 연결하면 파손되는 현상이 적다하심으로 보면, FET의 Ids 즉 허용전류가 작은 것을 보여집니다. 사용하는 전류와 FET의 전류를 확인해 보십시요 2020-02-12 오전 8:40:49

delphiro@ : . 2020-04-28 오전 10:21:03

tera21 : 감사합니다 2021-03-11 오후 1:09:22