23 Comments

최*휴 (2024-02-01 오후 12:06:01)

감사합니다

이*수 (2024-02-01 오전 11:22:55)

감사합니다

임*택 (2024-02-01 오전 11:15:37)

유익한 세미나로 많은 도움이 되었습니다. 감사합니다.

김*훈 (2024-02-01 오전 11:09:33)

오랜만에 좋은 강의 들었습니다. 감사합니다.

국*규 (2024-02-01 오전 10:30:47)

좋은 강의 부탁드립니다.

박*두 (2024-02-01 오전 10:30:01)

기대됩니다

박*휘 (2024-02-01 오전 10:29:12)

강의 기대됩니다.

서*영 (2024-02-01 오전 10:25:06)

좋은강의부탁드립니다

임*택 (2024-02-01 오전 10:03:26)

반갑습니다

김*만 (2024-02-01 오전 10:01:18)

기대됩니다.

정*석 (2024-02-01 오전 8:42:07)

기대합니다.

최*휴 (2024-02-01 오전 8:29:18)

기대합니다. 감사합니다.

신*근 (2024-01-26 오후 12:07:49)

세미나 기대합니다

최*휴 (2024-01-20 오전 6:44:45)

기대합니다.

임*석 (2024-01-19 오후 2:49:47)

세미나 기대합니다

강*성 (2024-01-11 오전 8:39:32)

고속스위칭 관련 아래 문의에 대해시

강*성 (2024-01-11 오전 8:38:33)

유익한 내용 기대합니다

조*익 (2024-01-04 오전 8:22:23)

감사합니다

남*현 (2024-01-03 오후 8:17:51)

좋은 내용을 기대합니다

신*영 (2024-01-03 오전 8:14:31)

좋은 세미나가 기대 됩니다

이*진 (2024-01-03 오전 8:13:55)

좋은 세미나 기대합니다.

김*식 (2024-01-03 오전 1:37:54)

고효율, 소형화 MOFET DFN 신제품 시리즈가 기대됩니다.

이*구 (2024-01-02 오전 9:33:10)

고속스위칭시 발열에 관련된 부분이 Rds만 고려하면 될지 아니면 overshoot voltage를 함께 고려해야 할지요? 낮은 Rds제품을 사용했을 때 전압이 높게 올라가서 가동전압 범위를 더 높이든지 스너버로 깍든지 해야 해서 결과적으로는 BOM을 고려했을 때 큰 차이가 나지 않았습니다. 어떤 식으로 회로를 구성해는 것이 최적의 엔지니어링 방향인지 조언 부탁드립니다

└ [ROHM] 고속 스위칭 시에는 Rdson뿐만 아니라 스위칭 손실도 고려해야 합니다. overshoot voltage에 관해서는 기생 인덕턴스가 적은 PKG의 MOSFET을 사용하거나, SLEW RATE를 낮추어 사용하는 방법이 있지만, 낮은 SLEW RATE는 스위칭 손실이 증가하므로 주의가 필요합니다. 회로 구성에 관해서는 고객측 실제 SET 환경에서 충분한 검토를 실시한 후에 채택하시는 것이 바람직합니다.

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