SiC MOSFET 스위칭 파형의 정확한 시뮬레이션 방법

최*섭 : sic mosfet에서 빠른 턴오프를 위해 negative bias를 구성해야된다고 하였는데 4세대 제품에도 구성을 해야되는건가요?

ROHM2 : Self Turn-on현상을 막기위해 기존에 Negative bias를 구성해야 했습니다. 현재 로옴 SiC 4세대 제품의 솔루션은 Negative bias 인가 필요가 없습니다.

한*웅 : 스위칭 속도는 높아지나 Peak 전류가 더 높아지는 불리한점은 없나요?

ROHM2 : 일반적으로 스위칭 속도가 높아질 수록 Peak 전류도 상승합니다. Gate 저항치로 Switching 속도를 조절하는 방법 등으로 설계가 필요합니다.

반도체 시장을 견인하는 로옴의 소신호 디스크리트

박*규 : [질문] 쌍방향 TVS 와 단뱡향 TVS의 차이점들은 어떤 게 있는지 궁금하고, 유스케이스에서 대체 가능한 부분과 그렇지 못한 경우는 어떤 곳들이 있는지 궁금합니다

ROHM3 : 단방향 TVS는 LH 회로 등, 편극 회로에서 보호 소자로서 사용되고, 양극 회로의 보호에는 적합하지 않습니다. 양방향 TVS는 플러스 마이너스 양극의 보호가 가능하므로, 양극 회로나 CAN 등의 데이터 라인 보호에 적합합니다. 또한, 양방향 TVS는 편극 회로의 보호에도 사용 가능합니다. 어플리케이션에 따라 대체여부가 달라질 수 있습니다. 감사합니다.

김*식 : [질문] RESDETHx의 Ethernet 1000Base-T1제품에서 ESD 20kV 이상의 제품은 없는지요? 그리고 DFN1006-3W 제품 계획이 있는지 궁금합니다.

ROHM2 : RESD1ETHxx는 현재 개발 중인 제품으로 20kV의 내압은 시장 요구에 따라 그 이상으로 개발하는 것도 검토 가능합니다. 또한 RESD1ETHxx 시리즈로 DFN1006 PKG 또한 라인업 예정입니다.

MOSFET의 선정 및 사용 방법

장*수 : [질문] FET Paralleling 구동시 전류 쏠림을 방지하는 방안은 무엇이 있을가요? Vgs_th 편차에 따른 Turn on / off 시점 불일치 포함

ROHM2 : Vgs(th)의 편차로 인한 전류 쏠림 현상을 방지하기 위해서는 편차를 고려해 마진을 두어 Vgs를 인가해 주셔야 합니다. MOSFET의 turn on을 위해서는 사양서 상의 Vgs(th)보다는 항상 높은 전압을 인가하여 주십시오.

한*웅 : Tj(100도 기준)의 디레이팅을 고려해서 사용하려는 제품의 2배수 이상의 Pd를 허용하는 제품으로 초기 설계에 반영을 해야하는 건지요?

ROHM2 : 그렇습니다. 초기 설계 단계에서 회로 환경에 맞게 내압치를 계산하여 소자를 선택해 주셔야 합니다.

30분만에 끝내는, OP Amp 입문

김*수 : 응력에 따른 입력 오프셋 전압이 변경 될 수 있음을 알게 되었습니다. 이 오프셋을 방지하기 위해서는 어떤 방법이 있을까요? 오프셋 조정 가변저항 회로는 선택하기 어렵습니다.

ROHM2 : 응력은 기판의 모서리로 갈수록 커지기 때문에 기판 중앙에 OP Amp 를 배치하는 것이 좋습니다. 또한 패키지 사이즈가 큰 것이 비교적 응력의 영향을 줄일 수 있기 때문에 정밀도가 필요한 경우에는 크기가 큰 패키지를 선택하는 것도 유효합니다.

정*균 : ic나 pcb기생용량관련 노이즈성분을 시뮬레이션상에 넣을수 있는 방법이 있는지 궁금합니다.

ROHM2 : 로옴 홈페이지에서 OP Amp 설계 시뮬레이션이 가능합니다. 시뮬레이션은 하기 URL에서 User Guide를 참조해 주시기 바랍니다.https://www.rohm.co.kr/solution-simulator?utm_medium=webinar&utm_source=rohm&utm_campaign=231114

기초부터 배우는 쇼트키 배리어 다이오드의 선정 및 사용 방법

정*호 : 가드링(GR)이 내압형성용이라고 말씀하셨는데요, 성능과 연결되는것 같은데, 좀더 자세히 설명 부탁드립니다.

ROHM3 : SBD의 경우 가드링으로부터 소수 캐리어의 주입되는 형태로서 이 농도가 내압과 관계가 있으며 trr 속도에도 영향을 주게 됩니다.

백*인 : SBD는 Automotive (AEC-Q) 제품군에서 Industrial 제품군 대비 어떤 장점을 가지나요?

ROHM3 : Auto Grade 제품의 경우 AEC-Q와 같은 전장부품 테스트를 통해 인증될 수 있도록 관리하고 있습니다.

꼭 기억해야 할 저항기의 고장 대책

최*은 : [질문] 서지 보호를 위해 저항체 소자를 길게 하면 규격 사이즈 범위를 벗어날텐데 규격사이즈가 다른가요??

ROHM1 : 사이즈가 같습니다만 내부 저항체소자에서 트리밍을 한번이 아니라 여러번 실시하여 저항체 소자를 길게 만들어 전위 강하를 완만하게 하여 서지에 강하게 만듭니다.

최*용 : 그럼 서지 특성을 선택할지,, 솔더 크랙을 보호할지는 유저가 선택해야 하는건가요??

ROHM1 : 네 맞습니다. 어떤 어플리케이션에는 서지 보호에 적합할 수 있고 또 차량용에서는 온도변화 신뢰성에 민감하기 때문에 솔더크랙 제품이 유리할 수 있습니다.

명쾌한 해설! LED의 취급 방법

박*근 : 디레이팅을 고려하여 적용하였는데 led 밝기의 수명이 생각보다 짧은 것 같습니다. 데이터 상으로 확인했을 때 SMLD12시리즈 교체하면 효과를 볼 수 있을까요?

ROHM1 : 장 수명화를 위한 시리즈이기 때문에 효과가 있을 것으로 생각됩니다.

임*홍 : 저항을 앞단과 뒷단에 위치하는 차이가 있나요?

ROHM2 : 일반적으로는 LED, 저항 직렬 회로에서는 차이가 없다고 생각합니다. 다만, 이는 LED 드라이버의 Application circuit guide에 따라 구성 방식이 결정될 수도 있고, 전체 회로를 확인하여, 판단하는 방식이 바람직하다고 생각합니다.

DC/DC 컨버터의 EMC대책 - 제2편

이*석 : 스너버 회로 구현 시 저항값의 제한이 있을까요?

ROHM1 : 스너버 회로 구성하는 경우 저항 값의 제한은 없습니다만, 저항 값이 낮아 지면 낮아 질 수로 저항의 발열로 나타 나기 때문에 일반적으로는 10옴 전후의 제품을 구성하게 됩니다.

안*표 : 0.1uF = 100M Hz 에서 노이즈를 줄일 수 있다고 하셨는데, 100 M Hz 이상의 RE 노이즈를 줄이기 위해서는 더 낮은 Cap을 사용하면 되나요 ?

ROHM2 : 그렇습니다. 사용하는 C BYPSS 용량에 DC 바이어스 성분때문에 일반적으로 높은 주파수에는 낮은 Capactor가 유용하게 됩니다.

DC/DC 컨버터의 EMC대책 - 제1편

김*하 : CM Filter 하단은 늘 GND를 cut 하는 것이 좋은지요?

ROHM1 : 공통모드 필터의 경우 대부분의 경우 GND 패턴을 제거 하는것이 효과적 이었습니다. 그래서 공통모드 핕터의 아랫부분은 GND를 제거 하는것으로 권장 드리고 있습니다.

정*균 : Rohm에서도 필터 정합에 사용할수 있는 시뮬레이션툴 프로그램을 지원해주시는지요?

ROHM1 : 필터의 경우 어느정도 정형화 되어 있어서 기생 성분까지 아니더라도 일반적인 값을 유추 할수 있는 내용을 계산시트를 제공 하고 있습니다.

저항기 설계 입문

김*석 : 저항치에 따른 온도변화 특성에 대해 설명 부탁 드립니다.

ROHM2 : 온도 계수 특성(TCR)은 저항치에 따라 변화할 수도 사이즈 및 시리즈에 따라 변화할 수 있습니다. TCR 특성은 저항체에 사용하는 산화 루테늄의 재료 물성을 따릅니다.

김*석 : 저항기의 오차범위를 결정하는 주요 요소나 사항은 어떤것이 있나요?

ROHM1 : 안녕하세요. 질문 감사합니다. Tolerance는 공정상의 오차이며, 그 외에는 온도 등의 외부요인이 영향을 끼칠 수 있습니다.

인터넷신문위원회

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