도현우 NH투자증권 연구위원은 ‘e4ds 반도체 기술 컨퍼런스 2021 spring’에서 메모리 반도체 업체들 간의 기술격차 감소로 이익률 차이도 감소하며, 업황 호조에 따라 하반기 메모리 가격 상승폭이 확대 될 것이라고 예상했다.
▲NAND 업체별 영업이익률 추이(자료: DRAMeXchange, NH투자증권리서치본부)
마이크론, 1β㎚까지 ArF 공정 활용·빠른 신제품 개발 유리
기술격차 감소 치킨게임 불가, D램 이익률 차이 10%p 미만
메모리 반도체 업체들 간의 기술격차 감소로 이익률 차이도 감소하며, 치킨게임으로 대변되는 대규모 투자 증설이 어려워질 것으로 보이는 가운데, 업황 호조에 따라 하반기 메모리 가격 상승폭이 확대 될 것이라는 예상이 나왔다.
e4ds news는 지난 28일 온라인 웨비나를 통해 ‘e4ds 반도체 기술 컨퍼런스 2021 spring’을 진행했다.
이날 컨퍼런스에 참여한 도현우 NH투자증권 연구위원은 ‘삼성전자를 추월한 마이크론의 기술력’이라는 주제로 최근의 반도체 산업 이슈를 집어보고, 하반기 반도체 시장을 전망했다.
이 자리에서 도현우 위원은 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 3사의 기술 격차가 많이 축소돼 메모리 수급에는 긍정적이라며, 하반기 업황 호조 지속에 다른 메모리 가격 상승폭이 확대될 것으로 전망했다.
이러한 배경에는 마이크론의 기술력 증가가 그 원인으로 지목했다.
마이크론은 지난해 11월 176단 3D낸드 개발 발표에 이어 올해 1월 1α㎚ DRAM을 세계 최초로 개발했다. 특히 과거 연구소 수준에서 발표한 것이 아닌 실제 양산에 들어간 시점에서 발표했고, 웨이퍼당 생산 칩수가 1z㎚ 대비 40% 증가 한 것으로 과거와 확연히 다른 모습을 보였다.
특히 마이크론은 경쟁사를 의식하지 않고, EUV 장비 사용이 없이 1β㎚까지 기존 ArF 노광장비를 활용한 멀티 패터닝이 더 효율적인 방법이라고 판단해 EUV 장비 투자에 따른 대규모 투자 지출이 필요 없고, 기존 장비의 활용도를 높여 빠른 신제품 개발에 유리했다.
경쟁사들이 1α㎚ DRAM 개발을 완료하지 못한 반면에 마이크론의 경우 1α㎚ DRAM은 상반기 중에 고객 샘플이 완료돼 하반기 본격 출하될 것으로 예상됐다.
이런 마이크론의 기술력 상승은 삼성전자, SK하이닉스 등과 기술격차 축소를 가져왔고, 기술격차 축소로 인해 선두 업체가 과거처럼 치킨게임으로 대변되는 공격적인 투자 전략을 구사하기 힘든 환경이 조성돼 각 업체 간 이익률 차이 격차가 줄어들어 D램뿐만 아니라 낸드 캐파 투자규모도 기대에 미치지 못할 전망이다.
특히 D램에서의 이익률 차이가 이미 10%p 미만이고, 낸드의 경우도 후발업체가 먼저 170단 이상의 차세대 제품을 양산할 경우 이익률 격차가 축소될 가능성이 높다.
이에 D램에 이어 낸드 업황도 턴어라운드가 예상되며, 하반기 수요 상승에 따라 메모리 가격 상승폭도 확대될 것으로 예상됐다.
도현우 위원은 중국 반도체 굴기와 관련해서 중국 정부가 부실한 업체를 걸러내고, 가능성 있는 업체에 집중 하고 있어 지속적으로 중국 시장을 주목해야 한다고 밝혔다.
더불어 GaN, SiC 등 화이드 밴드갭 소재를 사용해 제조하는 화합물 반도체가 기존 실리콘 반도체 기반 반도체보다 10배 이상 큰 전압을 견딜 수 있어 IT 디바이스 충전기, 5G, 산업설비, 전기차, 태양광 등에 사용되기 시작했다며 2029년까지 연평균 22% 성장해 51억달러 규모에 도달할 것이라고 밝혔다.
도현우 위원은 샤오미, 오포, 비보 등 스마트폰 업체가 충전기에 GaN 트랜지스터를 탑재하기 시작했고, 현대차가 E-GMP 등에 SiC반도체를 적용하는 등 대형 IT, 자동차 업체들이 화합물 반도체를 사용하기 시작했다며, 향후 시장 성장세가 높아질 것으로 전망했다.