(Image by Alexandra_Koch from Pixabay) 전력 시스템 손실 발전량 부족보다 ‘변환 효율’에서 증가, 전력반도체 핵심 주목 실리콘 기반 IGBT·MOSFET 물리적 한계 근접,..
2026.04.23by 배종인 기자
220V·600V 대응 STDRIVEG212·612 발표 과전류 차단·스마트 셧다운·평가보드 함께 공급 ST마이크로일렉트로닉스가 GaN 전력소자의 구동 회로를 한층 단순하게 구성할 수 있는 하프브리..
2026.04.14by 배종인 기자
단순한 정적 시험만으로는 실제 문제 못 찾아, 동적 시험 必 먼저 측정, 그 데이터 바탕 모델 보정 후 실제 환경에 맞춰야 전력반도체가 전기차, AI 데이터센터, 재생에너지 장비처럼 전기를 많이 쓰는 제품의 성능을 좌우하는 핵심 부품..
2026.04.13by 배종인 기자
▲Image by Tyli Jura from Pixabay SiC와 GaN 가운데 무엇이 내 애플리케이션에 맞는가를 최우선 파악 WBG 설계의 출발점은 전압·전력·주파수·비용&middo..
2026.04.10by 배종인 기자
▲온세미의 수직(Vertical) 구조 질화갈륨(GaN) 전력반도체 전력 효율·시스템 크기·열 관리·총소유비용까지 한꺼번에 바꾸는 대안 급부상 TI·인피니언·S..
2026.04.10by 배종인 기자
GaN 기반 3상 인버터 보드 공개, 설계 자료·개발 툴 함께 제공 ST마이크로일렉트로닉스가 가전제품과 산업용 드라이브에 쓰이는 모터 제어 설계를 겨냥해 질화갈륨(GaN) 기반 레퍼런스 디자인을..
2026.03.30by 배종인 기자
GaN 전력 소자·드라이버 통합, 고주파 설계 지원 ST마이크로일렉트로닉스가 질화갈륨(GaN) 기반 전력 반도체 제품군을 확대하며 소형·고효율 전원 설계 수요 대응에 나섰다. 새로 선보인 ‘Maste..
2026.03.18by 배종인 기자
▲휴머노이드(사진 : pixabay.com) 인간 모사, 수십 개 관절·이를 구동하는 DOF 모터 시스템 필수 GaN 제한된 공간·배터리 용량 안에서 높은 출력·효율 동시 달성 “..
2026.03.10by 배종인 기자
▲Infineon CoolGaN Transistors G3 and G5 CoolGaN™ BDS 650V G5, 차세대 전력 변환의 핵심 고효율 산업용 전원·미래 전력 변환 아키텍처 등 적용 재생에너지와 에너지..
2026.02.26by 배종인 기자
‘GaN 인사이트 2026’ 발간…고전압 양방향 스위치에 더블 게이트 공통 드레인 구조 적용 인피니언이 GaN(갈륨 나이트라이드) 전력 반도체 시장이 2030년 약 30억 달러 규모로 성장할 수 있다고 제시하며, A..
2026.02.12by 명세환 기자
(주)채널5코리아 | 서울 금천구 디지털로 178 가산퍼블릭 A동 1824호 | 사업자등록번호 : 113-86-36448 | 대표자 : 명세환
청소년보호책임자 : 장은성 | 발행인, 편집인 : 명세환 | 전화 : 02-866-9957
등록번호 : 서울특별시 아 01366 | 등록일 : 2010년 10월 40일 | 제보메일 : news@e4ds.com
본 콘텐츠의 저작권은 e4ds뉴스 또는 제공처에 있으며 이를 무단 이용하는 경우 저작권법 등에 따라 법적책임을 질 수 있습니다.
Copyright © 2026 e4ds News. All Rights Reserved