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▲Infineon CoolGaN Transistors G3 and G5 CoolGaN™ BDS 650V G5, 차세대 전력 변환의 핵심 고효율 산업용 전원·미래 전력 변환 아키텍처 등 적용 재생에너지와 에너지..

2026.02.26by 배종인 기자

‘GaN 인사이트 2026’ 발간…고전압 양방향 스위치에 더블 게이트 공통 드레인 구조 적용 인피니언이 GaN(갈륨 나이트라이드) 전력 반도체 시장이 2030년 약 30억 달러 규모로 성장할 수 있다고 제시하며, A..

2026.02.12by 명세환 기자

▲지오반니 캄파넬라(Giovanni Campanella) TI 산업 자동화 및 로보틱스 총괄 모터 제어·전력 반도체·센서·MCU·통신 IC 등 로봇 전용 레퍼런스 디자인 제공 한국 로보틱..

2026.02.09by 명세환 기자

▲The CoolGaN™ BDS 40 V G3 전력 손실 크게 줄이고, 패키지 크기 최소화 생산 단가 획기적 절감·대량 양산 체계 구축 전력 반도체 시장이 새로운 전환점을 맞고 있다. 실리콘(Si) 기반 소자..

2026.01.05by 명세환 기자

AI·전기차 전력 혁신 가속, 2026년 상반기 샘플 공급 지능형 전력 및 센싱 기술 기업 온세미(onsemi)가 글로벌파운드리(GlobalFoundries)와 손잡고 차세대 질화갈륨(GaN) 전력 디바이스 개발에 나선다...

2025.12.22by 배종인 기자

신속한 프로토타이핑·대중 시장 확장성 확보 지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업 온세미가 질화갈륨(GaN) 전력 디바이스 글로벌 제조 역량 강화에 나선다. 온세미는 이노사이언스(Innoscience)와 전략적 MOU를 ..

2025.12.05by 배종인 기자

설계 간소화·무소음 동작·친환경 규제 충족 세계적인 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 설계 단순화, 무소음 동작, 고효율 전력 관리라는 세 가지 핵심 가치를 ..

2025.11.04by 배종인 기자

하프 브리지 게이트 드라이버 출시 세계적인 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 저전압 GaN 설계를 간소화하고, 고성능 전력 시스템 개발을 지원하는 데 본격 나섰다. ST는 산업 ..

2025.10.27by 배종인 기자

실리콘比 작은 폼팩터에서 높은 에너지 효율, 시스템 비용 절감 기여 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표 이승수)가 업계 최초로 자동차 등급의 100V GaN 트랜지스터를 출시하며, 전기차·SDV 시장 공략을 가속화한다. ..

2025.10.16by 배종인 기자

▲300㎜ 기판 위 GaN HEMT용 개발 마스크 세트 차세대 전력 전자 소재 개발·제조 비용 절감 기대 세계적인 나노전자 및 디지털 기술 연구기관 Imec이 GaN(갈륨나이트라이드, 질화갈륨)의 300㎜ 웨이퍼 전환을 ..

2025.10.13by 배종인 기자