프랙틸리아(Fractilia)가 새로운 기술 로드맵을 발표하며, 첨단 반도체 공정에서 발생하는 수율 손실과 양산 지연이라는 난제를 해결하기 위한 새 돌파구를 마련했다.

프랙틸리아는 16일 기자간담회를 개최하고, 최근 방한한 에드워드 샤리에(Edward Charrier) 프랙틸리아 CEO와 스토캐스틱 리소그래피 분야의 세계적 권위자인 크리스 A. 맥(Chris A. Mack) CTO가 ‘스토캐스틱 변이’ 문제를 해결하기 위한 프랙틸리아의 최신 연구 결과를 최초로 발표했다.

이번 전략은 무작위 변동성인 ‘스토캐스틱 변이(stochastic variability)’를 정밀 계측과 확률 기반 제어로 극복해 고수율 양산 전환을 촉진하는 데 초점을 맞췄다.

프랙틸리아에 따르면 현재 극자외선(EUV) 공정에서 발생하는 스토캐스틱 해상도 격차는 약 5나노미터 수준에 달한다.

이는 연구개발 단계에서 구현 가능한 피처 크기와 실제 대량 생산 시 확보 가능한 수율 기준 사이의 차이를 의미하며, 무작위 패터닝 변동성에서 비롯된다.

글로벌 반도체 제조사들은 최신 공정 노드에서 수천억 원대 손실을 경험하고 있으며, 이는 대량양산(HVM)을 저해하는 핵심 문제로 꼽힌다. 프랙틸리아는 이 변동성을 극복하기 위한 △초정밀 스토캐스틱 측정 기술 확보 △확률 기반 공정 제어 방식 도입 △스토캐스틱 효과를 고려한 설계·재료 혁신 등 세 가지 전략을 제시했다.

프랙틸리아의 CTO 크리스 맥(Chris Mack)은 “스토캐스틱 변이는 기존 공정 제어 방식으로 해결할 수 없는 구조적 문제다. 확률 분석을 통해 설계와 공정 자체를 새롭게 정의해야 고수율, 고신뢰성 양산이 가능하다”며 “전자산업의 전반적인 성장 속도가 스토캐스틱에 의해 제약되고 있다”고 진단했다.

과거에는 스토캐스틱 변이가 임계 피처 크기보다 작아 수율에 미치는 영향이 미미했지만, 고-NA EUV 공정의 도입으로 해상도가 향상되면서 변동성이 공정 오차의 주요 원인이 됐다.

이에 따라 스토캐스틱 격차는 첨단 반도체 제조에서 필수적으로 해결해야 할 문제로 부상했다.

프랙틸리아는 새로운 설계 접근과 재료 선택, 공정 기술의 통합을 통해 스토캐스틱 격차를 줄일 수 있다고 밝혔다.

특히 측정 기반의 솔루션이 스토캐스틱 결함의 예측과 예방에 핵심이 된다는 점을 강조했다.