MOSFET의 선정 및 사용 방법

ROHM / 태현호 연구원

웨비나정보 웨비나Q&A

정*엽2024-02-01 오전 11:41:42
수고하셨습니다.
e4ds2024.02.01
참석해주셔서 감사합니다. 설문도 잊지말고 참여 부탁드립니다^^
지*호2024-02-01 오전 11:40:45
좋은 강의 감사합니다.
정*용2024-02-01 오전 11:39:45
수고하셨습니다.
e4ds2024.02.01
참석해주셔서 감사합니다. 설문도 잊지말고 참여하시기 바랍니다^^
주*원2024-02-01 오전 11:35:56
유익한 강의 인것 같습니다
e4ds2024.02.01
참석해주셔서 감사합니다. 설문도 잊지말고 참여하시기바랍니다^^
이*우2024-02-01 오전 11:34:15
SOA가 없는 데이터시트들은 Pd를 구해서 Pdmax만 안넘으면 안전하다고 볼 수 있을까요?
ROHM22024.02.01
폐사에서는 고객 문의가 있을 경우 별도 SOA 자료를 제출드릴 수 있습니다.
홍*철2024-02-01 오전 11:28:29
15페이지 SOA PW= 100us , 1ms , 10ms 는 어떤 타임을 정의하는 건가요?
ROHM12024.02.01
해당 SOA그래프는 싱글 펄스 기준으로서 펄스 폭을 의미합니다.
장*수2024-02-01 오전 11:27:41
[질문] FET Paralleling 구동시 전류 쏠림을 방지하는 방안은 무엇이 있을가요? Vgs_th 편차에 따른 Turn on / off 시점 불일치 포함
ROHM22024.02.01
Vgs(th)의 편차로 인한 전류 쏠림 현상을 방지하기 위해서는 편차를 고려해 마진을 두어 Vgs를 인가해 주셔야 합니다. MOSFET의 turn on을 위해서는 사양서 상의 Vgs(th)보다는 항상 높은 전압을 인가하여 주십시오.
정*균2024-02-01 오전 11:22:44
어떤순간에 최대전류정격이 초과가 되는지 궁금합니다.
ROHM22024.02.01
ESD 발생은 다양한 요인에 의해 발생할 수 있습니다. 예시로 부하에서 돌입 전류가 급작스럽게 들어오는 경우 등이 있겠습니다.
박*규2024-02-01 오전 11:21:27
안녕하세요. 세미나 잘 들었습니다. MOSFET를 S/W로 사용하는데, IR drop에 의해 DUT로 전달되는 전압이 낮아 Gate와 Source 사이에 저항을 추가해서 Drain으로 인가되는 전압 대비 source단으로 출력되는 전압을 증폭하여 DUT로 전달되는 전압을 보정해 주려고 하는데, 이때 주의해서 고려할 사항이 있을까요?
ROHM12024.02.01
부품 절대 최대 정격이 넘지 않도록 주의 해서 사용 부탁 드립니다.
김*열2024-02-01 오전 11:18:47
[질문] 실제 스위칭 시간을 최소화하는 MOSFET 자체 기능이나 권장방안은?
ROHM22024.02.01
스위칭 시간은 Qg factor를 통해 결정됩니다. Qㅎ 충전 용량이 작을 수록 보다 고속 스위칭이 가능하므로 이를 고려하시어 소자 선정을 해 주시면 되겠습니다.