MOSFET의 선정 및 사용 방법

ROHM / 태현호 연구원

웨비나정보 웨비나Q&A

김*열2024-02-01 오전 11:14:03
재방송이 있어서 매우 좋네요.
이*진2024-02-01 오전 11:11:29
MOSFET 이 바이폴라TR 대비 장점이 많은데요, 아직도 바이폴라TR 사용을 하는 경우는 어떤 케이스들인지요?
ROHM22024.02.01
사용할 수 있는 전력 범위가 유하거나 고속 스위칭 동작이 필요 없는 경우, 가격 측면을 고려하여 바이폴라TR을 선정하시는 고객분도 계십니다.
정*용2024-02-01 오전 11:09:53
너무 늦었네요.. 쩝..
e4ds2024.02.01
놓치신 방송 내용이 있다면 오늘 이후 e4ds.com에서 다시보기 영상을 시청해보세요! 참석해주셔서 감사합니다.
박*만2024-02-01 오전 11:09:33
ESD 내성을 강화하기 위해선, GS 에 ESD(DIODE) 소자를 추가하고 GD 에도 DIODE 를 추가하면 도움이 되겠죠?
ROHM22024.02.01
보호 소자를 추가하는 것을 말씀 주신 것처럼 ESD 내성 강화에 도움이 됩니다.
박*동2024-02-01 오전 11:06:58
발표자로의 SOA 라인에서 디레이팅할 때 기준은 Ta 25 도 기준에서 junction 온도 Tj 100 도를 기준 으로 하였습니다. Ta와 Tj 가 다르다면 디레이팅할 때 junction 온도에 따른 파워 손실 비율이 아닌 Ta에서의 파원 손실 비율을 참조해야 하지 않는지요?
ROHM22024.02.01
세미나 자료는 예시로 제공 드리는 것으로, 폐사 제품을 사용하실 경우 Ta 기준 derating graph의 측정 문의가 가능합니다.
이*진2024-02-01 오전 11:06:21
하나의 PKG에 여러개의 MOSFET 소자를 넣은 제품도 있는지요?
ROHM22024.02.01
Dual MOSFET의 경우 Nch이나 Pch를 각각 두 개씩 구성하거나, Nch + Pch 하나씩을 내부에 구성하고 있습니다.
조*희2024-02-01 오전 11:05:37
N-FET를 사용하여, Level Shift 를 구성 사용하려는데, (3.3V <->5V) 사용가능한 제품이 있을까요?
ROHM12024.02.01
고객 사용 조건에 따라 내압이 맞는 NMOS 제품을 추천 드립니다.
서*영2024-02-01 오전 11:05:11
수고하셨습니다
이*진2024-02-01 오전 11:05:06
업무때문에 중간에 놓친 부분은 재방송 보겠습니다. 감사합니다. 수고하셨습니다.
김*수2024-02-01 오전 11:04:52
수고하셨습니다.