Microchip 실리콘 카바이드(SiC) 파워 솔루션

Microchip Technology Inc. / 민석규 수석

웨비나정보 웨비나Q&A

namh***2021-08-31 오전 10:44:46
SC 관련하여 혹은 OC관련하여 관련 회로도 및 EVM이 나와 있나요??
Microchip_Douglas2021.08.31
네. 저희 회사에 Agile switch 디지탈 게이트 드라이버 내에 관련 솔루션이 내장되어 있습니다. 회로도는 역시 제공이 가능합니다.
namh***2021-08-31 오전 10:44:04
플러스 전압은 SC TIME와 손실 고려해서 얼마가 가장 이상적인가요? 혹은 통상적인 전압은 얼마인가요?
Microchip_Douglas2021.08.31
각 사마다 SiC 게이트 전압의 스윙범위가 다릅니다. 저희는 -5/+20에서 최적의 conduction loss를 갖습니다.
이*원2021-08-31 오전 10:44:03
주요경쟁사는 어디어디가 있는지와 차별화된 기능이 어떤게 있나요
Microchip_Douglas2021.08.31
Major 전력반도체 회사는 거의 모두 SiC solution을 가지고 있습니다. 누가 더 많은 IP(특허) 그리고 안정적인 전기적 특성을 갖는지, 가격은 어떤지가 경쟁의 키가 될것입니다. 저희 차별화는 강건한 특성과 바디다이오드의 DEGRADATION(열화)가 거의 없고 온도에 따른 Rds-on특성이 매우 안정적입니다.
정*균2021-08-31 오전 10:43:31
기존에 실리콘 카바이드 성능은 좋지만, 가격적인 부분 때문에 아직은 FET나 IGBT에 비해서 시장에서 점유율이 못 따라오는것으로 알고 있습니다. 지금은 상황이 많이 달라졌는지요?
Microchip_Jake2021.08.31
네 SiC의 필요성이 점점 크게 확대되고 있습니다. 고전압, 고효율의 어플리케이션이 요구되기 때문입니다. 시장에서 전기차(충전까지 포함) 시장이 좋은 예가 될 것입니다.
강*호2021-08-31 오전 10:40:21
SiC 장점 설명을 해주셨는데, 기존 대비 안좋아지는 factor들도 있는지요?(trade-off)
Microchip_Douglas2021.08.31
현재는 Si대비하여 가격이 비쌉니다. 하지만 볼륨이 늘어날 경우 SiC가 실리콘보다 비쌀 이유는 없습니다. 또한 내압이 적은 application의 경우는 Si이 더 적합하여 보입니다. 거의 모든 특성에 대하여 실리콘 보다 우수합니다. 이는 재료의 물성적인 특성입니다.
임*수2021-08-31 오전 10:40:20
SiC가 IGBT에 비해 효율도 좋고 크기도 작고 신뢰성도 좋은데 가격까지 저렴하면 (그게 사실이라면) IGBT는 조만간 지구상에서 사라진다는 얘기 아닌가요? 솔직히 뭔가 단점도 있을만 한데요...
Microchip_Douglas2021.08.31
개인적으로 SiC볼륨이 늘게 되면 나중에 거의 모든 IGBT application을 대체할 것이라 예상합니다. 이는 사용주파수의 한계가 상대적으로 플렉서블하며(고주파 스위칭 가능), 효율이 매우 높기 때문입니다. 실제로 Continuous current를 흘려주는 릴레이용 IGBT application도 SiC가 검토 되어지고 있습니다. 많은 스위치의 수를 절감할 수 있습니다.
이*희2021-08-31 오전 10:39:48
당사에서도 ESS 제품을 사용하고 있는데요. 화제도 몇 번 일어났었고, 조금은 안전상에 문제가 있는 것은 아닌가요? 이 부분은 현재 제어 가능한 수준인가요?
Microchip_Douglas2021.08.31
화재의 원인이 무엇인지는 모르겠지만 SOA영역에서 사용할 경우 Si보다 훨씬 안정적입니다. 또한 쇼트가 날경우 단락회로 안정성이(견디는 시간) 매우 우수하므로 안정적으로 보호회로를 구현하실 수 있습니다.
이*원2021-08-31 오전 10:38:27
안녕하세요
e4ds2021.08.31
안녕하세요, 어서오세요! 웨비나가 진행중입니다^^
이*준2021-08-31 오전 10:38:18
반갑습니다.
e4ds2021.08.31
안녕하세요, 어서오세요! 웨비나가 진행중입니다^^
임*수2021-08-31 오전 10:37:28
IGBT와의 switching loss 비교에서, 스위칭 속도가 2배라고 하니까 turn-on loss가 절반 정도인 것은 납득이 가는데요, turn-off loss가 IGBT에 비해 이렇게까지 비약적으로 좋아지는 이유는 무슨 특성 때문인가요?
Microchip_Jake2021.08.31
기본적으로 IGBT 전자와 정공의 2종류 캐리어를 사용하는 바이폴라 소자이면서, 낮은 포화 전압 (파워 MOSFET의 저 ON 저항에 해당)과, 비교적 빠른 스위칭 특성을 가지지만, 비교적 빠른 스위칭 특성이라고 해도, 파워 MOSFET에 비해서는 효율이 낮은 것이 사실입니다. 반면, SiC는 드리프트 층을 얇게 할 수 있어, 단위 면적 당 ON 저항이 매우 낮아 고내압 디바이스이기에, 고속 다수 캐리어 디바이스를 고내압화 할 수 있습니다.