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고전압화되는 데이터센터 전원 구조 속 750V SiC 소자 채택 로옴의 750V 내압 SiC MOSFET이 AI 서버 전원용 배터리 백업 유닛(BBU)에 채용됐다. 고전압 직류 기반 전원 구조로 이동하는 AI 서버 시장에서 SiC 전력반도체가 백업 ..

2026.05.21by 명세환 기자

전력 스위치·드라이버 통합, 가전·충전기 등 적용 확대 ST마이크로일렉트로닉스가 질화갈륨(GaN) 기반 전력 변환 솔루션을 통해 컨슈머 전자제품의 효율 개선에 나선다. 전력 스위치와 제어 기능을 통합한 설계를 ..

2026.05.18by 배종인 기자

1500V DC 링크 지원 XHP™ 2 모듈 공개, 전력 밀도 300kW/L 구현 인피니언 테크놀로지스는 2300V SiC MOSFET을 적용한 XHP™ 2 전력 모듈을 통해 고전압 에너지 시스템에서 효율과 전력 밀도를 동시에 ..

2026.05.13by 명세환 기자

▲노영균 아이브이웍스 대표이사가 GaN 에피웨이퍼 기술 흐름과 함께 향후 반도체 시장의 변화를 전망했다. Si比 내전압 높고·전류 밀도 커, 시스템 소형화·에너지 효율 크게 높여 Si 전력 반도체 대체 잠재력 갖..

2026.04.28by 배종인 기자

“태양광·풍력·ESS 확산의 시대, 전류 센서 핵심 요소 급부상” 단순히 전류 ‘측정’ 부품 넘어, 시스템의 상태 실시간 감지·보호·제어 MCS1806, ..

2026.02.26by 편집부

▲KERI 유승건·김민희·권익수 박사가 전력기기용 절연 소재인 ‘폴리프로필렌’의 성능 한계를 넘는 공정 기술을 개발했다. 폴리프로필렌 전압 안정제 효과적 결합 기술 개발 한..

2026.02.23by 배종인 기자