.png)
삼성전자, 12단 3D-TSV 기술로 24GB HBM 만든다
삼성전자가 12단 3차원 실리콘 관통전극(3D-TSV) 기술을 개발했다. 12단 3D-TSV는 금선을 이용해 칩을 연결하는 대신 반도체 칩 상단과 하단에 머리카락 굵기의 1/20 수준인 수 마이크로미터 직경의 TSV 6만개를 만들어 연결하는 패키징 기술이다. 종이의 절…
2019.10.07 by 이수민 기자
웨스턴디지털, 업계 최고 속도 1TB UHS-I 마이크로SD 카드 2종 국내 출시
웨스턴디지털이 특허 받은 플래시 기술을 기반으로 각각 최대 160MB/s 와 170MB/s 의 빠른 속도를 제공해 기존의 일반 UHS-I 마이크로SD 카드 대비 절반에 가까운 속도 로 파일을 전송할 수 있는 마이크로 SDXC 카드를 국낸 출시한다. 이는 애플리케이션의…
2019.10.01 by 명세환 기자
"옵테인 기술로 메모리 계층 구조 한계 극복한다" 인텔, 한국에서 처음으로 메모리 기술 행사 개최
지금 이 시간에도 인류와 기계가 폭발적으로 데이터를 생산하고 있다. 데이터는 그러나 실시간으로 분석해야만 가치를 지닌다. 하지만 데이터를 빠르게 처리하기엔 D램은 용량이 부족하고 SSD는 충분히 빠르지 않다는 메모리 계층 구조 문제가 이슈가 되고 있다. 인텔은 서울 동…
2019.09.27 by 이수민 기자
2020년 팹 건설 투자규모, 500억 달러에 이른다
SEMI의 최신 전 세계 팹 전망 보고서에 따르면, 2020년에 새롭게 건설을 시작하는 팹에 대한 투자는 올해보다 약 120억 달러 증가한 500억 달러에 이를 것으로 보인다. 2019년 말까지 380억 달러 규모로 15개의 새로운 팹이 건설될 것으로 보이며, 2020…
2019.09.16 by 이수민 기자
어플라이드 머티어리얼즈, 차세대 메모리 3종 'M램, Re램, PC램' 양산 솔루션 출시
AI, 빅 데이터 시대를 맞아 메모리 분야는 나노미터보다 정밀한 옹스트롬 단위의 혁신이 요구되며 다음과 같은 과제를 해결해야 한다. 먼저 AI에 필요한 방대한 양의 데이터를 효율적으로 수집, 처리, 저장, 분석하는 방법을 찾아야 한다. 그리고 IoT를 구성하는 수백억 …
2019.09.09 by 이수민 기자
바이두, '인텔 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리'에 기반을 둔 인메모리 데이터베이스 설계
처리해야 할 데이터가 폭발적으로 증가하면서 바이두와 같은 인터넷 서비스 제공 기업들은 빠르고 효율적인 데이터 액세스 및 저장을 실현해야만 한다. 인텔과 바이두는 인텔 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리의 대용량 고성능 기능을 활용하기 위해 바이두 피드 스트림 서비스의 인메모…
2019.09.09 by 이수민 기자
자일링스, 시스템 로직 셀 900만개 탑재한 FPGA 발표
자일링스가 900만개의 시스템 로직 셀을 탑재한 버텍스 울트라스케일+ VU19P FPGA를 출시했다. 350억개의 트랜지스터를 갖춘 VU19P는 단일 디바이스 상에서 높은 로직 밀도와 많은 수의 I/O를 제공함으로써 미래의 ASIC 및 SoC 기술은 물론, 테스트 및 …
2019.08.22 by 이수민 기자
D램 속도 혁신의 선봉, HBM2E 출시 "HBM2보다 50% 빨라"
SK하이닉스가 HBM2E D램 개발에 성공했다. HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 높인 HBM D램의 차세대 제품으로, 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다. SK하이닉스가 개발한 HBM2E는 3.6Gbit/s 처리 속도를 구현할 수 있어 …
2019.08.19 by 이수민 기자
마이크로칩, '멤브레인 뉴로모픽 메모리 솔루션'으로 임베디드 AI 프로세싱 아키텍처 구축 지원
AI 프로세싱이 클라우드에서 네트워크 에지로 이동함에 따라, 배터리 전력으로 구동하는 고성능 임베디드 디바이스는 컴퓨터 비전, 음성 인식 등과 같은 AI 기능을 수행해야 하는 상황에 직면하고 있다. 마이크로칩 테크놀로지는 자회사인 실리콘 스토리지 테크놀로지를 통해 자사…
2019.08.19 by 최인영 기자
삼성전자, 차세대 서버용 SSD 및 D램 모듈 양산
삼성전자가 PCIe 4.0 인터페이스 기반의 고성능 NVMe SSD PM1733 라인업과 고용량 D램 모듈 RDIMM, LRDIMM을 본격 양산했다. PM1733과 고용량 D램 모듈은 AMD의 2세대 EPYC 프로세서와 함께 신규 서버에 탑재될 예정이다. PM1733은…
2019.08.10 by 이수민 기자
삼성전자, '12Gb LPDDR5 양산 시작' 차세대 5G 스마트폰, 44GB 데이터 1초 만에 처리 가능해져
삼성전자가 5G 통신 시대에 맞춰 역대 최고 속도를 구현한 12Gb LPDDR5 모바일 D램 양산에 세계 최초로 성공했다고 밝혔다. 이달 말부터 삼성전자는 2세대 10나노급 12Gb 칩 8개를 탑재한 12GB LPDDR5 모바일 D램 패키지로 차세대 플래그십 스마트폰 …
2019.07.22 by 이수민 기자
SK하이닉스, 128단 4D 낸드 양산… 1테라비트 TLC 낸드 세계최초 상용화
SK하이닉스가 세계 최초로 128단 1테라비트 TLC 4D 낸드플래시를 개발하고 양산에 나선다. 이번에 양산하는 128단 낸드는 한 개의 칩에 3비트를 저장하는 낸드 셀 3천6백억 개 이상이 집적된 1테라비트 제품이다. 이 제품은 TLC 낸드로 1테라비트를 구현했다. …
2019.06.26 by 이수민 기자
차세대 메모리 반도체 MRAM의 속도와 용량 획기적으로 늘릴 가능성 발견
서강대학교 정명화 교수 연구팀은 자성물질 사이에 숨겨진 자기적 상호작용을 규명함으로써 차세대 메모리 반도체인 자성 메모리(MRAM)의 속도와 저장용량을 한 단계 더 발전시켜줄 가능성을 입증했다. 전류를 기반으로 하는 기존 메모리와 달리, MRAM은 전자의 스핀에 의한 …
2019.06.10 by 이수민 기자
메모리와 스토리지가 한데 모인 '인텔 옵테인 메모리 H10 솔리드 스테이트 스토리지' 출시
인텔이 인텔 옵테인(Intel Optane) 기술의 응답성과 인텔 QLC(Quad Level Cell) 3D 낸드 기술의 스토리지를 단일 공간 절약형 M.2 폼팩터에 결합한 ‘인텔 옵테인 메모리 H10 솔리드 스테이트 스토리지(Intel Optane Memory H10…
2019.04.13 by 이수민 기자
삼성전자, 28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM 출하
삼성전자가 28㎚ FD-SOI 공정 기반 eMRAM 솔루션 제품을 출하했다. FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있는 공정이다. MRAM은 비휘발성이면서도 DRAM 수준으로 속도가 빠르다는 특성을 가지는 메모리 반도체다. 이 두 …
2019.03.06 by 이수민 기자