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로옴, 제5세대 SiC MOSFET 개발
로옴이 고온 동작 조건에서 ON 저항을 낮춘 제5세대 실리콘카바이드(SiC) MOSFET를 개발했다고 밝혔다. 회사는 기존 세대 대비 손실을 줄여 차량용 전동 파워트레인과 산업용 전원 장치 적용을 목표로 한다고 설명했다.
2026.04.30 by 배종인 기자
로옴이 고온 동작 조건에서 ON 저항을 낮춘 제5세대 실리콘카바이드(SiC) MOSFET를 개발했다고 밝혔다. 회사는 기존 세대 대비 손실을 줄여 차량용 전동 파워트레인과 산업용 전원 장치 적용을 목표로 한다고 설명했다.
2026.04.30 by 배종인 기자