‘GaN’ 키워드 기사 79건
[전자파학회 동계학술대회]웨이비스, “올 하반기 X밴드 대역 커버 0.2μm 파운드리 오픈”
갈륨나이트라이드(GaN) 소재는 실리콘(Si)이 가진 물리적 한계를 뛰어넘는다. GaN 화합물반도체가 대두됨에 따라 고온동작과 높은 전자밀도 및 항복전압의 특성을 이용해 고출력 RF 증폭기와 고전력용 반도체 소자 등으로 제품 상용화가 이뤄지고 있는 추세이다.
2023.02.20 by 명세환 기자
ST, 2포트 USB-PD 어댑터 간편 설계 지원 디지털 컨트롤러 출시
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 고효율 2포트 USB-PD 어댑터의 간편 설계를 지원하는 디지털 컨트롤러를 출시했다.
2023.02.02 by 성유창 기자
“한국 전역 실리콘밸리화 가능”
첨단 반도체 산업 역량 강화에 대한 정부 및 지자체 관심이 높은 가운데 반도체 특화단지를 사이에 두고 지역 간 유치 전쟁이 시작됐다. 국내 전자산업의 태동기를 이끈 구미시는 첨단반도체 소재부품 특화를 통해 지역 성장을 모색했다.
2023.01.12 by 명세환 기자
[기술기고]Eric Persson, 인피니언-GaN 기술이 가져오는 전력 변환 애플리케이션의 혁신
인피니언이 공급하는 와이드 밴드갭 갈륨 나이트라이드(GaN) 반도체인 CoolGaN™에 대해 Eric Persson Senior Principal Engineer가 소개한다.
2023.01.02 by 명세환 기자