‘전력변환’ 키워드 기사 4건
ST, MasterGaN7 출시로 GaN 전력 제품군 확장
ST마이크로일렉트로닉스가 MasterGaN7 GaN 전력 제품을 출시했다. 650V 6A GaN 트랜지스터 2개와 게이트 드라이버를 하나의 QFN 패키지에 통합한 제품으로, 최대 2MHz 스위칭 주파수를 지원한다. 전원 어댑터, 충전기, 산업용 조명, 태양광 마이크로인…
2026.10.28 by 배종인 기자
마이크로칩·나비타스, AI 데이터센터용 800V DC 레퍼런스 디자인 공동 개발
마이크로칩테크놀로지와 나비타스 세미컨덕터가 AI 데이터센터용 800V DC 전원 아키텍처를 위한 공동 레퍼런스 디자인을 개발했다. GaN 전력소자와 디지털 파워 컨트롤러, 보안 IC를 결합해 OCP 800V DC 표준을 지원하며, 단일 변환으로 최대 96% 효율과 2,…
2026.10.06 by 배종인 기자
고전류 전원 설계 한계 직면, ‘GaN 집적화’ 해법 급부상
GaN 기반 집적형 전력변환 기술이 AI 서버·데이터센터·로봇 등 고전류 환경에서 실리콘의 한계를 대체하며 핵심 솔루션으로 부상하고 있다. 텍사스인스트루먼트(TI, Texas Instruments)의 LMG708B0·LMG5126은 최대 50% 소형화된 면적에서도 동일…
2026.09.15 by 배종인 기자
마우저, 온세미 가넥서스 GaN FET 공급 개시
마우저 일렉트로닉스가 온세미의 GaNEXUS GaN FET 공급을 시작한다. 40V~650V 전압 범위를 지원하는 이 제품은 고속 스위칭과 높은 전력 밀도로 AI 서버, 데이터센터, 산업 자동화, 로보틱스 등 다양한 애플리케이션을 대응한다. 와이드 밴드갭 특성을 활용해…
2026.09.11 by 배종인 기자