고속 회복(Fast-Recovery) 다이오드를 탑재
자체 MDmesh™ DM2 초접합(Super-Junction) 기술 구현

ST마이크로일렉트로닉스가 자동차 애플리케이션용 고전압 N-채널 전력 모스펫(MOSFET) 제품군을 새롭게 출시했다. 

AEC-Q101 인증 받은 디바이스로, 고속 회복(Fast-Recovery) 다이오드를 탑재했고 ST의 최첨단 MDmesh DM2 초접합(Super-Junction) 기술로 구현됐다. 항복전압 범위가 400~650V 이상이며 D2PAK, TO-220, TO-247 패키지로 제공된다. 

그 중 400V와 500V 디바이스는 이러한 항복전압에서는 AEC-Q101을 처음으로 인증받은 제품이고 600V와 650V 디바이스는 경쟁 제품 대비 훨씬 뛰어난 성능을 제공한다.

이 디바이스 모두 집적화된 고속 바디 다이오드, 보다 유연한 통신 활동, 백투백(back-to-back) 게이트-소스 제너 프로텍션(zener protection) 기능이 필요한 자동차 애플리케이션에 최적화되어 있다. 풀-브리지(Full-Bridge) 제로전압스위칭 토폴로지에 적합한 제품이다. 

이번 ST의 새로운 전력 모스펫은 Trr/Qrr 과 자동차 시장에서의 유연성 측면 모두에서 최상의 성능을 제공하고 고전류에서의 턴-오프 에너지(Eoff) 성능 또한 뛰어나기 때문에 자동차 전원공급장치의 효율성 개선에도 도움을 준다. 

또한 고속 바디 다이오드의 성능이 뛰어나서 EMI 문제를 덜어주고 보다 작은 패시브-필터링(Passive-Filtering) 부품 사용도 가능하다. 이렇게 MDmesh DM2 기술은 에너지 손실 방지, 효율성 극대화, 폼팩터 최소화에 기여하여 보다 친환경적인 전력 구현을 가능하게 한다. 

D2PAK 패키지 기반 500V 디바이스의 경우 44nC의 매우 낮은 게이트 차지(Gate Charge)와 1850pF 입력 커팬시턴스 제공하며 낮은 온-저항(On-Resistance)이 특징이다. TO-247 패키지 기반 600V 디바이스의 경우 120ns @ 28A, TO-247 패키지 기반 650V 디바이스의 경우 135ns @ 48A으로 역회복 시간이 빠르고 게이트-소스 간의 제너 프로텍션을 지원한다.

이 제품은 1천개 단위 기준으로 항복전압 및 패키지 타입에 따라 3달러에서 10달러 사이에 공급된다.