스마트 키친 필수 아이템, 인덕션 히팅 (IH) 위한 인피니언의 파워 스위치 솔루션

Infineon / 송현수 부장

웨비나정보 웨비나Q&A

박*원2022-07-05 오전 11:53:19
세미나 잘 들었습니다. 파워 전류 용량이 충분한지 재검토 해보고 싶습니다.
e4ds2022.07.05
참석해주셔서 감사합니다. 유익한 시간 되셨길 바랍니다^^
최*완2022-07-05 오전 11:53:09
고맙습니다. 좋은 내용의 세미나 및 다른 분들의 질문 포함하여 좋은 답변 모두 잘 봤습니다.
e4ds2022.07.05
앞으로의 웨비나에도 많은 관심과 참여 부탁드립니다. 감사합니다^^
장*수2022-07-05 오전 11:52:31
수고하셨습니다.
e4ds2022.07.05
유익한 시간 되셨길 바랍니다^^
김*열2022-07-05 오전 11:50:14
[질문] Double pulse test 에서 처음 Pulse의 손실을 비교측정시 허용기준과 효과는?
Infineon_22022.07.05
허용기준이 따로 있진 않습니다. 단지 방열면에서 효율면에서 허용가능한지 체크가 목적입니다
최*휴2022-07-05 오전 11:47:22
업무에 많은 도움이 되었습니다. 세미나 감사합니다.
e4ds2022.07.05
참석해주셔서 감사합니다^^
최*완2022-07-05 오전 11:38:31
IH 키친용 인덕션 수준의 전력용량에서는 모스펫이 스위칭, 도통 손실 면에서 유리한 것 같은데 모스펫이 상대적으로 가격이 더 비싼 것인지요? 그렇다면 얼마나 차이가 나는지요?
Infineon_22022.07.05
소자 가격의 경우 수량과 제품이 따라서 다르지만 어떤 경우에도 비슷한 용량의 SiC MOSFET이 IGBT보다 더 비쌉니다.
문*웅2022-07-05 오전 11:31:22
질문] IGBT와 SiC MOSFET을 각각 사용했을 때 나타나는 서로 다른 특성에 대해서 질문드립니다
Infineon_22022.07.05
SiC MOSFET은 IGBT와 비교했을떄 Eon에서 50%정도 손실 절감 효과가 있고 Eoff에서는 90%정도로 거의 손실이 없다시피 합니다. 도통손실은 Vce,sat과 Rds_on인데 작은 전류에서는 Rds_on이 손실에 유리하고 큰 전류로 갈수록 Vce,sat이 유리합니다. IH에서는 Eon이 없고 Fsw가 빠르기 때문에 SiC MOSFET적용시 손실을 대폭 감소합니다.
이*수2022-07-05 오전 11:30:00
질문] silicon-on-insulator 기술을 기반으로 하는 게이트 드라이버와 reverse-conducting IGBT을 상호 보완적으로 활용할 수 있는 방안은 무엇인가요?
Infineon_12022.07.05
SOI기반의 장점인 transient negative VS의 견고성으로 IH의 큰 전류로 인해서 발생할 수있는 -VS에서도 정상적으로 동작할 수 있는 장점이 있습니다.
양*영2022-07-05 오전 11:25:21
전력반도체의 사용추세에서 GaN대비 SiC에 중점을두는 추세인데 스마트키친분야에서도 같은 추세인지요? .
Infineon_22022.07.05
SiC MOSFET은 손실이 아주 작기 때문에 고속 스위칭이 가능하고 결과적으로 제품을 작게 만들수 있습니다. 스마트 키친에 작은 제품이 필요하다면 SiC MOSFET이 추후 추세가 될것 같습니다.
박*근2022-07-05 오전 11:24:04
답변주신 내용에 대해서는 수직하고 있습니다. 제 질문을 다시 읽어보니 요지가 없었네요.. 죄송합니다. 질문 : Cd성분과 Llk성분 간에 발생되는 resonance를 저감 시킬수 있는 기능이 내장된 제품군이 있나요?
Infineon_22022.07.05
C와 L로 인해 발생하는 resonance를 저감시키는 기능은 내장되어 있지 않지만 IGBT의 기생 성분인 Cge,Cgc,Cce의 값이 영향을 미칠수 있을것 같습니다.