TI OCB 5월
스마트 키친 필수 아이템, 인덕션 히팅 (IH) 위한 인피니언의 파워 스위치 솔루션

Infineon / 송현수 부장

  • 박*희2022-07-05 오전 11:10:35

    감사합니다
  • Infineon_52022.07.05

    감사합니다 ^^ 곧 이어서 재방송이 진행되오니 혹시 놓치신 부분이 있거나 다시 듣고 싶은 부분이 있다면 계속해서 시청 부탁 드립니다.
  • 정*용2022-07-05 오전 11:10:33

    수고하셨습니다.
  • Infineon_52022.07.05

    감사합니다 ^^
  • 김*열2022-07-05 오전 11:10:33

    [질문] 시뮬레이션 Tools 는 무료제공인가요?
  • Infineon_22022.07.05

    시뮬레이션툴은 무료입니다 사용시 인피니언 회원가입만 해주시면 됩니다.
  • 정*수2022-07-05 오전 11:10:32

    수고하셨습니다.
  • Infineon_52022.07.05

    오늘 유익한 시간이 되셨기를 바랍니다 ^^
  • 오*정2022-07-05 오전 11:10:32

    수고하셨습니다. 잘 들었습니다!!
  • Infineon_52022.07.05

    참여해 주셔서 감사합니다 ^^
  • 이*진2022-07-05 오전 11:10:31

    감사합니다 수고하셨습니다.
  • Infineon_52022.07.05

    감사합니다 ^^ 곧 이어서 재방송이 진행되오니 혹시 놓치신 부분이 있거나 다시 듣고 싶은 부분이 있다면 계속해서 시청 부탁 드립니다.
  • 이*우2022-07-05 오전 11:10:27

    인덕션에 SiC FET 를 현재 사용하시는 업체를 보신적이 있으신지요?
  • Infineon_12022.07.05

    현재 개발 중인 업체가 있습니다만 업체명은 언급이 어려운 점 양해 부탁드립니다.
  • Infineon_22022.07.05

    많은 업체가 IGBT로 인덕션을 양산하면서 차세대를 위해 SiC MOSFET으로 검토를 하고 있습니다 이경우 Fsw를 많이 올릴수 있기 떄문에 다른 자재쪽에서 아나로그 소자 크기를 줄이면서 이득을 가져갈수 있습니다.
  • 김*철2022-07-05 오전 11:09:16

    IGBT를 사용할 때보다 Sic MOSFET을 사용할 때 병렬화를 하는 이유가 무엇인가요?
  • Infineon_22022.07.05

    IGBT는 작은 전류소자두개보다 큰소자 한개의 가격이 더 좋은 경우가 많이 있습니다 (패키지 가격이 전체 가격에 큰 영향을 미침) 그것과 별개로 SiC MOSFET은 칩가격이 IGBT보다 높은편이기 때문에 병렬로 구동시 가격차이가 크지 않고 병렬구동시 열적으로 이득이 많다면 고려될수 있습니다.
  • 조*성2022-07-05 오전 11:08:18

    안녕하세요
  • Infineon_52022.07.05

    반갑습니다~ ^^ 11:12부터 재방송이 이어서 진행될 예정입니다
  • 박*근2022-07-05 오전 11:07:00

    parasitic inductance에 의해 발생되는 리플을 제거할 수 있는 기능이 내장되어 있는 드라이브 칩이나 전력 소자 제품군이 있나요?
  • Infineon_22022.07.05

    게이트단에 c*dv/dt로 인한 기생 턴온 말씀하시는건지요? Drive Ic에서 active clamp라는 기능이 있어서 평상시에는 Rg_off로 turn-off를 시키다가 게이트 전압이 2V보다 낮아지면 내부 clamp 소자를 이용해서 Rg없이 게이트 전압을 바로 GND로 붙이는 기능이 있습니다 이경우 parasitic 으로 인한 게이트쪽에 에너지가 발생해도 에너지가 문턱전압보다 높게 발생하지 못하게 억제를 시켜줍니다.
인터넷신문위원회

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