~5/21 울프스피드 파워테크니컬로드쇼
스마트 키친 필수 아이템, 인덕션 히팅 (IH) 위한 인피니언의 파워 스위치 솔루션

Infineon / 송현수 부장

  • 이*국2022-07-05 오전 10:43:02

    안녕하세요? 좋은 강의 기대합니다^^
  • Infineon_52022.07.05

    참여해 주셔서 감사합니다. 오늘 유익한 시간 되시길 바랍니다 ^^
  • limy***2022-07-05 오전 10:42:41

    게이트와 IGBT 가 윈칩화 되어있는 전용 드라이버도 있는지요?
  • Infineon_22022.07.05

    discrete IGBT에 drive Ic를 합친 컨셉의 제품을 소개했던 적이 있습니다 그러나 제품 라인업이 다양하지 못해 디자인시 제약이 많아서 많은 분들이 Drive Ic와 IGBT를 별도로 검토하고 계십니다.
  • 양*영2022-07-05 오전 10:42:35

    가전솔루션의 경우 소비효율 및 안전에 중점을 두는데 과열등으로 인한 화재를 예방하는기술등은 어떤게 있는지요?
  • Infineon_22022.07.05

    일반적으로 중요소자인 IGBT나 drive IC가 데미지로 인해 소손이 발생해도 화재로 이어지지 않도록 설계하는것으로 알고 있습니다. 개발시 임의적으로 다양한 루트로 소손을 발생시키면서 체크를 하는것으로 알고 있습니다.
  • 최*휴2022-07-05 오전 10:42:28

    [질문] 인피니언 파워 스위칭 소자의 장점은 타사 대비 어떻게 되나요?
  • Infineon_12022.07.05

    인피니언 제품은 적은 산포와 높은 견고성과 안정적인 온도 특성으로 높은 신뢰성을 확보하고 있습니다
  • limy***2022-07-05 오전 10:41:02

    인덕션레인지 싱글 방식에서 턴오프때 발생하는 피크가 큰데 1350V or 1600V 선택시 추가 고려사항이 있는지요?
  • Infineon_22022.07.05

    single ended는 용량에 따라서 전류와 전압이 같이 올라갑니다 그래서 어느정도 용량이 커지면 single ended로 사용하기가 어렵고 half bridge로 변경하게 됩니다. 내압이 클수록 Vce,sat과 손실이 커지기 때문에 작은용량만 single ended로 선택하는것이 일반적입니다.
  • 지*호2022-07-05 오전 10:40:29

    [질문]인덕션 레이진의 열효율 관련 중요 요소는 어떻게 되는지요? 인덕션 상판이 제일 중요한 요소인지요?
  • Infineon_12022.07.05

    인덕션 상판은 효율과는 크게 영향을 주지 않습니다. IGBT의 conduction loss, switching off loss, diode conduction loss가 파워 스위칭 소자의 주요 loss입니다.
  • 정*수2022-07-05 오전 10:39:28

    [질문] 예전에 인덕션히팅 기기 개발하다 IGBT가 폭발하듯 터져서 너무 무서웠던 기억이 있는데요. IGBT 소손을 방지할 수 있는 보호회로나 방법이 있나요?
  • Infineon_12022.07.05

    Single ended 에서는 제어가 half bridge 방식 대비 쉽지 않습니다. single ended는 충분한 검토가 필요하고 gate driver IC의 보호 동작도 중요한 부분 중의 하나 입니다.
  • 소*하2022-07-05 오전 10:39:06

    안녕하세요 반가워요
  • Infineon_52022.07.05

    인피니언 웨비나에 참여해 주셔서 감사합니다 ^^
  • 이*휘2022-07-05 오전 10:38:52

    안녕하세요
  • Infineon_52022.07.05

    반갑습니다~ 질문이 있으실 경우 채팅창에 올려주시면 답변 드리겠습니다 ^^
  • 양*영2022-07-05 오전 10:38:40

    파워스위칭 소자의 전력손실을 낮추기위해 더 낮은 Rds_on와 스위칭 loss의 device를 개발추세인데 관련 SiC나 GaN적용중인 새로운 technology이 궁금합니다
  • Infineon_12022.07.05

    후반에 인피니언 SiC MOSFET을 적용한 비교 파형이 있으니 참조하시기 바랍니다.
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