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UNIST, Si 대체할 차세대 반도체 소재 합성 기술 개발
실리콘을 대체할 차세대 반도체 소재의 상용화가 앞당겨질 전망이다. 국내 UNIST 박혜성 교수팀과 성균관대학교 강주훈 교수팀이 원자 배열의 규칙성이 우수한 전이금속 칼코겐 화합물을 합성하는 기술을 개발했다. 해당 기술을 활용하면 2차원 반도체 소재를 원자 수준으로 얇고..
2021.03.08 by 이수민 기자
로옴, '1608' 초소형 '2.0cd' 고광도 백색 칩 LED 양산
최근 전자제품의 소형화 추세로 고밀도 실장의 백색 칩 LED 수요 역시 늘고 있다. 이에 로옴이 CSL1104WB 초소형 고광도 백색 칩 LED를 개발했다. 해당 LED는 2.0cd의 고광도를 1608 크기(1.6㎜×0.8㎜=1.28㎟)로 실현했다.
2021.03.06 by 이수민 기자
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래티스, 임베디드 비전 및 펌웨어 보안 강화 스택 공개
래티스 반도체가 저전력 임베디드 비전 시스템, '래티스 엠비전 2.0'과 서버의 보안 시스템 제어를 위한 '래티스 센트리 2.0' 솔루션 스택을 공개했다. 엠비전 2.0은 FPGA 상에서 임베디드 프로세서 기반 애플리케이션 개발을 가속하는 래티스 프로펠(Propel)'..
2021.03.04 by 이수민 기자
ST, STM32U5 초저전력 MCU 제품군 발표 "9월 출시"
ST가 스마트 애플리케이션의 전력 및 성능 요건을 충족하는 초저전력 MCU 'STM32U5' 시리즈를 출시했다. STM32U5 시리즈는 Arm Cortex-M33 코어, ST만의 전력 절감 기능과 온칩 IP로 구성돼, 에너지 소모는 줄이고 성능은 높인다. 오늘날 애플리..
2021.03.04 by 강정규 기자
NXP, CC-Link IE TSN 프로토콜 지원 프로세서 공개
NXP가 포트 사와 협력하여 CC-Link IE TSN 프로토콜을 지원하는 산업 자동화용 TSN 솔루션을 발표했다. NXP는 LS1028A 산업용 애플리케이션 프로세서와 i.MX RT1170 크로스오버 MCU에 CC-Link IE TSN Layer-2 스택을 구현했고,..
2021.02.26 by 이수민 기자
키옥시아-WD, 162단 낸드 개발 "적층 경쟁 후끈"
키옥시아와 WD가 6세대 162단 3D 플래시 메모리 기술을 개발했다. 이번에 발표된 6세대 3D 플래시 메모리는 기존 8스태거 구조 메모리 홀 어레이보다 고도화된 아키텍처와 5세대 대비 10% 증가한 측면 셀 어레이 밀도가 특징이다. 발전한 측면 미세화 기술과 162..
2021.02.25 by 이수민 기자
ST, 에지 AI 비전 디바이스 개발 위한 AI 기능팩 배포
ST마이크로일렉트로닉스사 임베디드 개발자들이 STM32 MCU를 이용해 에지에서 로컬로 실행되는 컴퓨터 비전 애플리케이션을 구현할 수 있도록 새로운 AI 펌웨어 기능팩과 카메라 모듈 하드웨어 번들을 출시했다.
2021.02.23 by 이수민 기자
"메모리로 AI 가속한다" 삼성전자, HBM-PIM 개발
삼성전자가 업계 최초로 메모리 반도체와 AI 프로세서를 결합한 ‘HBM-PIM’을 개발했다. PIM(Processing-in-Memory)은 메모리 내부에 연산 작업에 필요한 프로세서 기능을 더하는 기술이다. 삼성전자는 지난 2018년 1월부터 양산 중인 2세대 고대역..
2021.02.18 by 강정규 기자
겔싱어 CEO 맞은 인텔, 기술 리더십 회복할 수 있을까
팻 겔싱어 전 VM웨어 CEO가 인텔 8대 CEO로 공식 취임했다. 겔싱어는 취임 소감에서 “인텔은 미래를 위한 기술 리더를 목표로 하는 기업”이라며, 자신 또한 기술자라 강조했다. 겔싱어는 2005년까지 재직했던 크레이그 배렛 전 CEO 이래 오랜만에 등장한 기술자 ..
2021.02.18 by 이수민 기자