재료연, 2차원 반도체 트랜지스터 350℃ 저온 공정기술 개발

한국재료연구원이 기존 600℃ 이상의 고온 공정을 350℃ 저온 환경으로 낮추면서도 웨이퍼 10장을 동시에 처리하는 2차원 반도체 트랜지스터 제조기술을 개발했다. 이번 성과는 생산 효율을 높이고 3차원 적층 반도체 양산 과정에서 열 손상을 줄이면서 차세대 반도체 기술로…

2026.11.04 by 배종인 기자