대한전기학회 하계학술대회 연계, 전력기술 미래 방향 논의 창립 50주년을 맞은 한국전기연구원(KERI)이 전기 학계 전문가들과 함께 향후 기술 발전 방향과 산·학·연 협력 방안을 모색하는 자리를 ..
2026.07.10by 배종인 기자
▲인피니언의 고전압 CoolGaN Family 인피니언 GaN, 저손실·고주파·고집적 전력 솔루션 핵심축 부상 전력반도체·게이트 드라이버·센서·MCU·무선연결 등..
2026.07.08by 배종인 기자
▲인피니언의 200㎜ 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼(사진 : 인피니언) SiC 인버터 사용 시 시스템 효율 향상 배터리 용량 줄여 원가 부담 감소 인피니언·ST·온세미·로옴 등 전력반도체 기업 미래..
2026.07.07by 배종인 기자
▲인피니언의 GaN 웨이퍼 中 이노사이언스 美·獨 인피니언 손 들어 줘, 단기적 지역별 제품 조정 인피니언 중국 내 제약 불구, 글로벌 GaN 경쟁 여전히 견고한 포지션 질화갈륨, 이른바 GaN 전력반도체를 둘러싼 인피..
2026.07.06by 배종인 기자
제4세대 IGBT로 도통손실 1.55V 구현, AEC-Q101 대응 로옴이 전기차와 산업기기용 전력반도체 신제품 650V 내압 IGBT를 통해 손실 저감과 신뢰성 향상을 동시에 구현하고, 전동 컴프레서와 인버터 등 응용 분야 확대를 겨냥했다. 로옴은 18..
2026.06.19by 배종인 기자
인텔 18A 대비 동일 전력서 9% 향상된 성능 제공, 동일 성능에서 전력 소모 18% 줄여 인텔 파운드리가 2026 VLSI 심포지엄에서 공정 로드맵과 장기 연구 성과를 발표했다. 인텔 18A 제품군의 첫 성능 가속 버전인 인텔 ..
2026.06.17by 배종인 기자
40V~650V GaN FET 샘플 공급, 트레오 플랫폼 연계 시스템 전력 솔루션 강화 온세미가 차세대 전력 아키텍처를 겨냥한 질화갈륨(GaN) 기반 전력 제품군 ‘GaNEXUS’를 출시했다. AI 데이터센터, 4..
2026.06.11by 명세환 기자
80V 내압 제품군 전장 고출력화 대응 로옴이 차량용 48V 전원 시스템에 대응하는 80V 내압 MOSFET ‘AG16xFNxx 시리즈’를 개발하고 양산에 들어갔다. 신제품은 전장 시스템의 고출력화에 맞춰 소형 패..
2026.05.28by 명세환 기자
성능 및 설계 요구 동시 진화, 응용 산업 확대 에너지 수요 증가·탄소중립 목표 간 간극 줄여 전력반도체 시장에서 질화갈륨(GaN) 기술이 고효율·고속 스위칭 특성을 기반으로 다양한 산업으로 확산되고 있다. ..
2026.05.27by 배종인 기자
PowerGaN 제품군 7종 추가, 고전력 전원 시스템 소형화·고효율 ST마이크로일렉트로닉스가 AI 서버와 로보틱스 등 고전력 시스템의 전력 변환 효율을 높이기 위한 700V급 PowerGaN 전력반도체를 출시했다. 이번 ..
2026.05.27by 명세환 기자
(주)채널5코리아 | 서울 금천구 디지털로 178 가산퍼블릭 A동 1824호 | 사업자등록번호 : 113-86-36448 | 대표자 : 명세환
청소년보호책임자 : 장은성 | 발행인, 편집인 : 명세환 | 전화 : 02-866-9957
등록번호 : 서울특별시 아 01366 | 등록일 : 2010년 10월 40일 | 제보메일 : news@e4ds.com
본 콘텐츠의 저작권은 e4ds뉴스 또는 제공처에 있으며 이를 무단 이용하는 경우 저작권법 등에 따라 법적책임을 질 수 있습니다.
Copyright © 2026 e4ds News. All Rights Reserved