전력 반도체
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‘GaN’, 미래 전력 기술 핵심 축 자리매김…인피니언 중전압 GaN 양방향 스위치·300㎜ 파워 GaN 기술 전력 전자 패러다임 변화 이끌어

▲The CoolGaN™ BDS 40 V G3   전력 손실 크게 줄이고, 패키지 크기 최소화 생산 단가 획기적 절감·대량 양산 체계 구축 전력 반도체 시장이 새로운 전환점을 맞고 있다. 실리콘(Si) 기반 소자..

2026.01.05by 배종인 기자

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“휴머노이드 로봇, 인류의 다음 도약”…인피니언, 핵심 솔루션 제시

  OptiMOS™·StrongIRFET™ 파워 MOSFET 등 전력반도체 정밀 모션 구현 AI 가속기 내장 MCU·3D ToF 센서·RADAR·압력 센서 등 사람과 상호..

2025.11.27by 배종인 기자

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AI 데이터센터 전력 시스템 48V 급부상

▲데이터센터 이미지(사진 : Mouser, IM Imagery/stock.adobe.com)   동일한 전력 공급시 전류 4분의 1로 줄이고 저항 16배 감소 다단계 전압 변환 과정 생략 서버 랙 내 공간 확보 밀도 높여 48V 아키텍..

2025.10.14by 배종인 기자

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TI, AI 데이터센터 전력 수요 충족…차세대 확장형 전력 관리 솔루션 공개

▲TI가 OCP에서 AI 데이터센터를 위한 새로운 전력 관리 솔루션을 발표하며, AI 데이터센터 전력 수요를 충족한다.(사진 : TI)   엔비디아와 협력 800VDC 아키텍처 지원 고부하 AI용 30kW 전원 공급 유닛 공개 텍사스 ..

2025.10.14by 배종인 기자

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[2025 e4ds Tech Day]“GaN 반도체 후발주자지만 기술적 한계 극복하며 빠르게 발전”

▲ETRI 이형석 책임연구원이 ‘2025 e4ds Tech Day’에서 발표하고 있다.   美·獨·中 등 주요 국가 전력 반도체 자국 생산 강화, 中 공격적 투자 냉각장치 부담 덜어 AI 데이터..

2025.09.30by 배종인 기자

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[2025 e4ds Tech Day]“10년 이상 쓸 차량용 전력반도체 검증, 가속 테스트 필수”

▲NI-Emerson T&M 성웅용 이사가 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 발표하고 있다.   전기차 SiC 채용 높지만 실사용 테이터 부족 신뢰성 의문 NI, AQG324·JDEC 기..

2025.09.30by 배종인 기자

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[2025 e4ds Tech Day]“전력 반도체 미래 ‘GaN’, 48V 전원계 차량 충분히 상용화”

▲텍사스 인스트루먼트 김승목 차장이 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 발표하고 있다.   600∼650V급 전압서 12㎒까지 스위칭 전력 밀도 획기적 높여 TI 통합 모듈 형태 발전, 하나의 패키지로..

2025.09.29by 배종인 기자

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[2025 e4ds Tech Day]“2034년까지 SiC 수십배 성장, 공급망 안정화·국내 양산 인프라 등 대응 必”

▲한국전기연구원(KERI) 김형우 센터장이 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 발표하고 있다.   SiC 1,200V 이상 고전압 영역 유리, 제조 난이도·높은 원가 장벽 국내 높은 기술 반면 원..

2025.09.26by 배종인 기자

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[2025 e4ds Tech Day]“AI 시대 전력 혁신, 전력 변환 단계마다 효율 높여 전체 손실 감소 시급”

▲인피니언 테크놀로지스 김용진 상무가 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 발표하고 있다.   전력 변환 AC→DC PSU·48V IBC·12V→1V 멀티페이저 단계별 ..

2025.09.26by 배종인 기자

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ST, 저가형 자동차 전력관리 IC로 경쟁력 강화

  ‘SPSA068’, 효율성·안전성 동시 강화 세계적인 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 저가형 자동차 전력관리 IC로 효율성과 안전성을 동시에 강화했..

2025.09.24by 배종인 기자

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