2025.06.19by 명세환 기자
차량의 전장화 물결 속에 전통적인 퓨즈와 릴레이 기반 전력분배 방식이 한계에 봉착했다. 최신 차량에는 과전류 보호와 스위치 기능을 결합한 전자식 퓨즈(eFuse) 솔루션이 도입되어 정밀 제어와 진단 기능으로 안전성과 효율을 크게 높이고 있다.
2025.06.17by 배종인 기자
인피니언 테크놀로지스(Infineon)이 엔비디아가 손잡고 업계 최초 800V HVDC(high-voltage direct current) 분배 시스템을 중심으로 한 차세대 AI 데이터센터 전력 공급 아키텍처를 선보이며, AI 데이터센터가 급증하는 전력 수요를 효율적으로 해결하면서 지속가능성 목표를 달성할 수 있도록 AI 데이터센터 전력 공급의 혁신을 가져올 것으로 기대된다.
2025.06.16by 배종인 기자
전 세계적으로 친환경 에너지 전환과 전력 효율 개선에 대한 수요가 급증하는 가운데, 전력 전자 분야의 기술 혁신은 이미 우리 삶의 근간을 새롭게 재편하고 있다. 그 중에서도 SiC(실리콘 카바이드) 모듈은 기존의 실리콘 기반 소자에 비해 월등한 고온·고전압·고주파 동작 특성을 바탕으로 전력 손실을 획기적으로 줄이고, 열 관리 및 시스템 소형화를 가능하게 하는 핵심 부품으로 주목받고 있다. 이러한 기술적 우수성은 태양광 발전, 전기차 인버터, 산업용 모터 드라이브 등 다양한 응용 분야에서 안정적이고 효율적인 전력 변환을 실현함과 동시에, 에너지 절감을 통한 환경 보호에도 크게 기여하고 있다. 이런 가운데 인피니언이 최근 ‘Power and sensing Selection Guide 2025-2026’ 백서를 ..
2025.05.23by 배종인 기자
인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)가 22일 서울 삼성동 코엑스에서 옥토버테크 서울 2025(OktoberTech Seoul 2025)을 개최했다. 이날 ‘Driving decarbonization and digitalization. Together’라는 주제로 기조연설을 담당한 안드레아스 우르시츠(Andreas Urschitz) CMO는 지속 가능성을 위해 인피니언은 에너지 효율을 극대화하는 첨단 반도체 솔루션을 개발하고 있으며, 특히 갈륨 나이트라이드(GaN) 및 실리콘 카바이드(SiC) 기반 전력 반도체는 전력 변환 과정에서 에너지 손실을 최소화하며, 전기차, 재생 에너지 및 산업 자동화 분야에서 중요한 역할을 한다고 전했다.
2025.05.22by 배종인 기자
인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)가 22일 코엑스에서 한국에서 최초로 글로벌 혁신 생태계 행사인 ‘옥토버테크(Octover Tech)’를 개최하고, 기자간담회를 통해 디지털화와 탈탄소화를 위한 인피니언의 기술 혁신 및 국내 기업 협력 현황을 발표했다. 이날 행사에서는 LG전자, 한화 NxMD와의 협력 내용도 발표됐다.
2025.04.28by 배종인 기자
옴디아(Omdia)가 최근 발표한 ‘자동차 산업의 대전환기 반도체가 이끄는 변화의 방향’ 리포트에 따르면 차량용 반도체와 AI의 효과적인 통합을 위해서는 단순한 기술 도입을 넘어서 복합적인 산업 생태계 전반을 아우르는 접근이 필요한 것으로 나타났다.
2025.03.27by 배종인 기자
AI 데이터 센터의 전력 공급 중단 및 데이터 손실 위험을 방지하기 위해 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)가 차세대 배터리 백업 유닛(BBU) 솔루션 로드맵을 발표했다. 새로운 BBU 솔루션은 4㎾부터 업계 최초의 12㎾까지 다양한 전력 옵션을 제공하며, AI 서버 랙을 위한 고효율, 고신뢰성, 확장 가능한 전력 변환을 지원한다. 이 기술은 업계 평균 대비 최대 400%의 높은 전력 밀도를 달성하여 AI 전원 공급 기술의 선도적인 입지를 강화할 것으로 기대된다.
2025.03.27by 권신혁 기자
전력 공급 네트워크(PDN)가 효율 극대화를 위해 12V에서 48V 아키텍처로 전환하는 추세 속에서 48V 중심의 전력 모듈을 지원하는 신제품들이 속속 모습을 드러내고 있다.
2025.02.25by 배종인 기자
텍사스 인스트루먼트(TI)가 22V에서 200V까지의 폭넓은 전압대와 다양한 방사선 내성 수준을 지원하는 우주 등급의 하프 브리지 질화 갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET) 게이트 드라이버를 출시하며, 모든 유형의 우주 항공 임무에서 전력 시스템의 효율성을 향상시킨다.
2025.02.24by 배종인 기자
한국전기연구원(KERI)이 개발한 ‘반도체 기반 대용량 스위치’ 기술이 세계 최정상급 연구기관들의 큰 주목을 받으며, 향후 9조3천억원에 이르는 세계 시장 선점을 위해 본격 나선다.
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