‘SiC MOSFET’ 키워드 기사 3건
ST, 갈바닉 절연 게이트 드라이버 3A 신제품 출시
ST마이크로일렉트로닉스가 강화 갈바닉 절연 기반의 3A 출력 게이트 드라이버 STGAP3S3 시리즈를 출시했다. SiC MOSFET과 IGBT 구동에 최적화된 두 제품은 완전한 액티브 밀러 클램프를 내장해 설계를 간소화하고 부품 비용을 절감한다. 최대 1,200V 고전…
2026.07.31 by 배종인 기자
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로옴 SiC MOSFET, AI 서버 HVDC 전원용 BBU에 적용
로옴의 750V 내압 SiC MOSFET이 AI 서버 전원용 배터리 백업 유닛(BBU)에 채용됐다. 생성형 AI 확산으로 서버 전력 수요가 커지면서 데이터센터 전원 구조는 고전압 직류 기반으로 이동하고 있다. 이번 채택은 고전압·고전력 환경에서 전력 손실과 발열을 줄여…
2026.05.21 by 명세환 기자
로옴, 제5세대 SiC MOSFET 개발
로옴이 고온 동작 조건에서 ON 저항을 낮춘 제5세대 실리콘카바이드(SiC) MOSFET를 개발했다고 밝혔다. 회사는 기존 세대 대비 손실을 줄여 차량용 전동 파워트레인과 산업용 전원 장치 적용을 목표로 한다고 설명했다.
2026.04.30 by 배종인 기자