온세미, 이노사이언스와 GaN 전력 포트폴리오 확대…글로벌 제조 역량 강화
지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업 온세미가 이노사이언스(Innoscience)와 전략적 MOU를 체결하고, 질화갈륨(GaN) 전력 디바이스 글로벌 제조 역량 강화에 나선다.
2025.12.05 by 배종인 기자
ST, 차세대 GaN 플라이백 컨버터 출시
세계적인 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 USB-PD 충전기, 고속 배터리 충전기, 보조 전원공급장치 등 다양한 애플리케이션을 겨냥한 통합 GaN 플라이백 컨버터 시리즈를 공개하며, 설계 단순화, 무소음 동작, 고효…
2025.11.04 by 배종인 기자
ST, 저전압 GaN 설계 간소화
ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, ST)가 산업 및 통신용 전력 변환 애플리케이션에 최적화된 하프 브리지 GaN(Gallium Nitride) 게이트 드라이버 신제품 STDRIVEG210과 STDRIVEG211을 출시하며, 저전압 GaN 설계를…
2025.10.27 by 배종인 기자
인피니언, 업계 최초 자동차 등급 100V GaN 트랜지스터 출시…전기차·SDV 시장 공략 가속화
인피니언 테크놀로지스(코리아 대표 이승수)가 AEC-Q101 인증을 획득한 자동차 등급의 100V GaN(질화갈륨) 트랜지스터 제품군을 출시했다. 이번에 양산을 시작한 ‘CoolGaN™ 100V G1’ 제품군은 고전압(HV) 트랜지스터와 양방향 스위치를 포함하며, 전기…
2025.10.16 by 배종인 기자
Imec, 300㎜ GaN 프로그램 출범
세계적인 나노전자 및 디지털 기술 연구기관 Imec이 GaN(갈륨나이트라이드, 질화갈륨)의 300㎜ 웨이퍼 전환을 통해 첨단 전력 전자 소자 개발 및 제조 비용 절감에 본격 나선다. 이번 프로그램은 저전압부터 고전압까지 다양한 전력 전자 애플리케이션을 지원하며, 웨이퍼…
2025.10.13 by 배종인 기자
[2025 e4ds Tech Day]“GaN 반도체 후발주자지만 기술적 한계 극복하며 빠르게 발전”
한국전자통신연구원(ETRI) 이형석 책임연구원은 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘GaN 와이드 밴드갭 전력반도체 기술 개발 현황 및 시장 동향’에 대해 발표하며, GaN 전력 반도체의 개발 현황과 향후 전망을 심도 있게 소개했다. …
2025.09.30 by 배종인 기자
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[2025 e4ds Tech Day]“전력 반도체 미래 ‘GaN’, 48V 전원계 차량 충분히 상용화”
텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI) 김승목 차장은 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘TI GaN FET으로 전력 밀도가 높고 효율적인 디지털 파워 시스템 구현하기’라는 주제로 발표하며, 전기차, 재생에너지, …
2025.09.29 by 배종인 기자
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[2025 e4ds Tech Day]TI 김승목 차장-“GaN 차량용 전력 시스템 새로운 가능성 연다”
차량용 전력 시스템이 빠르게 진화하면서 저전압에서 실리콘(Si) 반도체와 고전압 영역에서 실리콘 카바이드(SiC) 기반의 반도체가 활용되던 지금까지의 추세에서 벗어나 새롭게 GaN(Gallium Nitride) 솔루션이 차세대 차량용 전력반도체로 주목받고 있다. GaN…
2025.08.28 by 명세환 기자
인피니언, 300㎜ 웨이퍼 기반 GaN 생산 가속화 전력 반도체 시장 선도…2025년 4분기 첫 샘플 공급
인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 300㎜ 웨이퍼 기반 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 반도체 생산을 본격 가동하며 올해 4분기에 고객들에게 첫 샘플을 제공할 예정이다. 인피니언은 이번 300mm GaN 생산 가속화로 기술 혁신과 시장 선도에 적극 나서겠…
2025.07.03 by 배종인 기자
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파워레일 무결성, 이제는 ‘설계자 몫’… 키사이트 “측정도 진화해야 한다”
키사이트테크놀로지스는 전압 마진이 좁아지고 WBG 소자의 고속 스위칭 특성이 강조되며, 정밀한 파워레일 및 전류 측정의 중요성이 커졌다고 밝혔다. 이호중 대리는 “이제는 파워 측정도 고해상도·저노이즈가 필수”라며, 전용 파워레일 프로브와 분석 소프트웨어의 필요성을 강조…
2025.06.09 by 명세환 기자
WBG 반도체 시대, 전력 소자 테스트도 ‘다이나믹’으로 진화
SiC·GaN 기반 WBG 반도체의 도입으로 기존 정적 테스트는 한계에 직면했다. NI는 실제 주행 조건을 모사하는 ‘다이나믹 HTFB’ 테스트 시스템을 세계 최초로 상용화해, 테스트 시간은 줄이고 신뢰성은 높였다. 전기차 시대에 맞는 새로운 테스트 기준이 필요한 지금…
2025.06.09 by 명세환 기자
실리콘의 한계를 넘다, CoolGaN™이 이끄는 고효율 전력 설계 혁신
실리콘 기반 전력 반도체의 물리적 한계가 도래한 지금, 산업계는 더 빠르고 작으며 효율적인 대안을 모색하고 있다. 인피니언의 CoolGaN™ 기술은 이러한 요구에 대응하는 핵심 솔루션으로, 다보코퍼레이션 조용규 전무는 “이제는 실리콘을 넘어서는 시점”이라며 설계 전략과…
2025.05.29 by 명세환 기자
ST, 컨슈머·산업 전력 변환·모션 제어 최적화
세계적인 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 최신 STDRIVEG610과 STDRIVEG611 고전압 GaN(Gallium Nitride) 하프 브리지 드라이버를 출시하며, 컨슈머 및 산업 애플리케이션의 전력 변환 및 …
2025.05.19 by 배종인 기자
글로벌 에너지 규제 시대, HVAC 효율의 해답 ‘인피니언 iMOTION™’
전 세계적인 에너지 절감 압력이 커지는 가운데, 가장 주목받는 산업 분야 중 하나가 바로 HVAC(냉난방) 시스템이다. 전 세계적으로 냉난방 시스템이 가정 내 소비 전력의 큰 부분을 차지하면서, 이제는 효율성과 친환경성이 HVAC 분야의 핵심 이슈로 떠올랐다. 그렇다…
2025.05.09 by 명세환 기자
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TI, 우주 등급 200V GaN FET 게이트 드라이버 출시
텍사스 인스트루먼트(TI)가 22V에서 200V까지의 폭넓은 전압대와 다양한 방사선 내성 수준을 지원하는 우주 등급의 하프 브리지 질화 갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET) 게이트 드라이버를 출시하며, 모든 유형의 우주 항공 임무에서 전력 시스템의 효율성을 향상…
2025.02.25 by 명세환 기자