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‘GaN’ 키워드 기사 85건
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    인피니언의 이노사이언스 GaN 특허소송, 단순 소송 아닌 미래 AI·데이터센터 시장 걸렸다

    글로벌 반도체 기업인 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)와 중국의 이노사이언스(Innoscience)의 특허침해 소송이 단순한 기술 침해를 넘어 미래 인공지능(AI) 서버 및 데이터센터용 GaN(질화갈륨, 갈륨나이트라이드) 전력반도체 시장 선…

    2024.08.08 by 배종인 기자

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    인피니언, 20% FoM 성능 더 우수한 GaN 제품군 출시

    인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 시중의 다른 GaN(갈륨나이트라이드, 질화갈륨) 제품 대비 입력 및 출력 FoM(figures-of-merit)이 20% 더 우수한 가성비 있는 새로운 CoolGaN™ 트랜지스터 700V G4 제품군을 새롭게 선보이며, …

    2024.07.01 by 배종인 기자

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    전력반도체 글로벌 각축전 ST 1위...中-메이저 격차↓, 공급 과잉 리스크↑

    전력반도체 시장이 SiC와 GaN 기반으로 패러다임 전환하면서 주요 플레이어들의 투자와 시설 확장 치열이다. ST가 글로벌 각축전에서 1위를 수성한 가운데 중국의 화합물 전력반도체 자급 생태계 구축이 가속화되면서 향후 업계 및 시장 지형도에 큰 변수로 떠오르고 있다.

    2024.06.25 by 권신혁 기자

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    TI, 업계 최초 GaN IPM 공개…가전 시장 요구 한 번에 해결

    텍사스 인스트루먼트(이하TI)가 작은 사이즈, 합리적인 가격, 높은 효율성에 대한 시장의 요구를 한 번에 잡을 수 있는 GaN 기술을 활용한 지능형 전력 모듈(IPM)을 출시했다.

    2024.06.13 by 성유창 기자

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    인피니언, 8인치 파운드리 공정 기반 CoolGaN™ 트랜지스터 제품군 출시

    향후 5년간 46%의 연평균 성장률(Yole Group 전망)로 성장이 예상되는 GaN 디바이스 시장에서 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 CoolGaN의 강점과 생산 용량을 더욱 확장할 것이라 밝혔으며, 이 계획의 일부인 새로운 CoolGaN 제품군을 선보인다.

    2024.06.04 by 성유창 기자

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    ETRI, 국내 기업 GaN 반도체칩 설계·제작 돕는다

    한국전자통신연구원(ETRI)은 4일 원내에서 산·학·연 관련 관계자가 참석한 가운데, 과학기술정보통신부 ‘통신용 화합물반도체 연구 파운드리 구축사업’으로 개발한 세계적 수준인 150나노(0.15um) 질화갈륨 마이크로파집적회로(MMIC) 설계키트(PDK) 공개발표회를 …

    2024.04.05 by 배종인 기자

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    인피니언, 고성능 시스템 위한 차세대 CoolSiC™ MOSFET G2 출시

    인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 이전 세대 대비 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성은 그대로 유지한 SiC 기반 MOSFET 기술을 시장에 내놓는다.

    2024.03.11 by 성유창 기자

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    xEV가 몰고 온 車 반도체 시장 성장에 SiC·GaN도 주목

    YOLE 그룹의 애널리스트가 “OEM들은 변화하는 자동차 산업 환경에 대응해 나가기 위해 반도체에 전략적인 투자를 지속하고 있다”며 “xEV용 전력 디바이스 시장에서 SiC 및 GaN과 같은 화합물 반도체에 이목이 집중될 것”이라 전했다.

    2024.02.01 by 성유창 기자

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    ST, 신규 200W/500W MasterGaN 출시

    ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 MasterGaN1L과 MasterGaN4L을 출시했다고 15일 밝혔다.

    2024.01.15 by 명세환 기자

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    내년 R&D 중대형 과제 중심 지원...“나눠주기·뿌려주기식 배제”

    “정부에서 발표한 것들 중 나눠주기식, 갈라치기식, 뿌려주기식을 좀 배제하라는 주문이 있었다. 어떤 목적성을 가지고 중대형 과제들을 기획해서 중대형 과제 중심으로 지원하겠다”

    2023.12.07 by 명세환 기자

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    TI, 저전력 GaN 제품군 확장...AC/DC 전원 어댑터 크기 50%↓

    텍사스 인스트루먼트(TI)가 1일 저전력 질화 갈륨(GaN) 포트폴리오를 확장한다고 발표했다.

    2023.12.01 by 명세환 기자

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    디엠지모리, “반도체 첨단 가공기술 必”

    실리콘 카바이드(SiC) 및 갈륨 나이트라이드(GaN) 등 화합물 반도체 소재가 미래먹거리로 대두되고 있는 가운데 고급 소재에서 가공 부하를 줄이면서 정밀 가공하는 솔루션 또한 함께 기술 발전을 이룩하고 있다.

    2023.11.21 by 명세환 기자

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    인피니언, GaN Systems 인수…전력 반도체 분야 입지 확대

    인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 선도적인 GaN 기술을 보유하고 있는 기업을 인수하며 전력 반도체 분야에서의 입지를 굳건히 다져 나간다.

    2023.10.26 by 성유창 기자

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    GaN RF 시장, 28억불 성장

    중국이 게르마늄을 비롯한 갈륨 소재의 수출 규제를 발표한 가운데 질화갈륨(GaN) 소재 기반 RF 반도체 시장이 급격히 성장할 것으로 기대된다. 이에 따라 국내 GaN 반도체는 활발한 기술 개발과 탐색이 연구단에서 이뤄지고 있는 반면, 아직은 산업 기반이 갖춰지지 않은…

    2023.08.04 by 명세환 기자

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    中 갈륨·게르마늄 수출통제, 반도체 특수가스 GeH4(저메인) 공급 이상 無

    중국의 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge) 수출통제가 시작된 8월1일 이후 국내 반도체용 특수가스인 GeH4(저메인) 공급은 차질이 없는 것으로 조사됐다. GeH4(저메인)은 기존 공정 이외에도 GAA 등 차세대 반도체 공정에서도 사용량이 늘 것으로 전망돼 이번 중국의 수출…

    2023.08.03 by 배종인 기자