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로옴 650V SiC SBD 내장 IGBT 기존 IGBT 대비 손실 67% 수준 3월부터 샘플 출하, 12월 양산 최근 전기차 보급이 확산하면서 더욱 효율적인 시스템을 구축하기 위해, 각종 전장품의 인버터나 컨버터에 탑재되는 전력 반도체에 대한 요구사항이 ..

2021.07.09by 이수민 기자

e4ds 뉴스 중화권 ICT 소식 정리 2021년 7월 6일 화요일 [차이나 브리핑] 반도체 분야 華為投資不停歇觸角擴及第三代半導體 화웨이 계열사, 3세대 반도체 기업 '동구안 티안유' 투자 ◇ 동구안 티안유 반도체, SiC 및 G..

2021.07.06by 이수민 기자

정부, 2030년 목표로 K-반도체 전략 구체화 반도체 전후방 산업 총망라, 다소 분산된 측면 수요처 발굴, 인재들이 이직 원하는 기업 필요해 미국이 턱밑까지 쫓아온 중국을 견제하기 위해서 자국의 반도체 기술을 무기화하는 전략을 취하자, 중국도 ..

2021.07.06by 이수민 기자

e4ds 뉴스 중화권 ICT 소식 정리 2021년 7월 5일 월요일 [차이나 브리핑] 반도체 분야 重回台积电代工：消息称高通骁龙 895+ 将采用台积电 4nm，895 仍为三星工艺 퀄컴 스냅드래곤 895+, TSMC 4nm 공정으로 생산 ◇ 퀄컴 차..

2021.07.05by 이수민 기자

▲전력반도체 시장 2020년 현황 및 2030년 전망(자료 : 후지경제) SiC 車, GaN 車·AC 어댑터·기지국 수요 성장 전기차 성장에 따라 북미·유럽 시장 확대 예상 2030년에는 세..

2021.06.25by 배종인 기자

고효율 전자 기기 설계에 SiC 채택 비율 높아져 SiC MOSFET 활용, 소자 선정과 게이트 저항값 튜닝에 달려있어 더블 펄스 테스트 등 숙지해야 전력 효율 향상은 전자 기기를 설계하는 모든 엔지니어의 목표라 할 수 있다. 오랫동안 안정적으로 동작하는 ..

2021.06.25by 이수민 기자

e4ds 뉴스 중화권 ICT 소식 정리 2021년 6월 25일 금요일 [차이나 브리핑] 반도체 분야 重磅好消息:国产28纳米/14纳米芯片有望今年/明年量产中 파운드리, 28nm 칩은 올해, 14nm 칩은 내년 생산 ◇ 中 업계, 중국의 28nm ..

2021.06.25by 이수민 기자

▲사진 출처 : 한국반도체산업협회와 법무법인(유) 광장 개최 ‘반도체를 둘러싼 미-중 갈등 : 글로벌 반도체 공급망 재편 가능성과 우리의 대응’ 온라인 생중계 캡쳐 미국내 협력 더욱 강화, 분업화에서 자급화 이동 ..

2021.06.24by 배종인 기자

마이크로칩 GMICP2731-10, 신호 품질 훼손 없이 높은 RF 레벨에서 지구국 전송 지원하면서 신호 충실성 유지 위성 통신 시스템은 동영상 및 광대역 데이터 전송에 필요한 데이터 전송 속도를 달성하기 위해 복잡한 변조 방식을 사용한다. 이를 위해서는..

2021.06.22by 강정규 기자

로옴, 1700V 내압 SiC MOSFET 내장한 ‘면실장 패키지’ AC/DC 컨버터 IC 개발 최대 12개의 제품과 1개의 방열판 대체 최근 SiC 전력 반도체를 채용하는 AC 400V 산업기기가 늘고 있다. 반면 그 이상의 대전력 ..

2021.06.17by 이수민 기자