"인텔 파운드리 진출 韓 부정적"
미국의 리쇼어링 정책으로 인한 반도체 자급화 가속으로 인해 미국내 파운드리와 팹리스 업체간 협력 가속화는 국내 파운드리 산업에 부정적이며, 우리나라 반도체 수급 안정화를 위한 대비가 필요하다는 의견이 제시됐다.
2021.06.24 by 배종인 기자
마이크로칩, 위성 통신용 GaN RF 파워 증폭기 공개
위성 통신 시스템은 동영상 및 광대역 데이터 전송에 필요한 데이터 전송 속도를 달성하기 위해 복잡한 변조 방식을 사용한다. 이를 위해서는 높은 RF 출력 파워를 제공하는 동시에 신호가 이상적인 특성을 유지하도록 해야 한다. 이에 마이크로칩이 RF 파워와 신호 충실성을 …
2021.06.22 by 강정규 기자
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로옴, 1700V SiC MOSFET 내장 AC/DC 컨버터 공개
대전력 산업기기의 보조 전원은 내압이 낮은 Si MOSFET나 손실이 큰 IGBT가 채용돼 저전력화에 어려움이 있어왔다. 이에 로옴이 1700V 내압 SiC MOSFET을 내장한 BM2SC12xFP2-LBZ AC/DC 컨버터 IC를 개발했다. 신제품은 SiC MOSFE…
2021.06.17 by 이수민 기자
[차이나 브리핑] 伊, 화웨이 장비 조건부 도입 등
e4ds 뉴스 중화권 ICT 소식 정리 - 2021년 6월 1일 [차이나 브리핑] : ◇이탈리아, 보다폰의 화웨이 5G 장비 사용 조건부 승인 ◇NXP, UMC와 6년간 파운드리 계약 ◇중신 관건 반도체 ETF, 올해 4%대 상승 ◇BYD, 시안 R&D 센터 가동 "I…
2021.06.01 by 이수민 기자
마우저-로옴, 전기차 전력 솔루션 다룬 전자책 출간
마우저 일렉트로닉스와 로옴 세미컨덕터가 공동으로 차세대 오토모티브 솔루션의 핵심 기술에 초점을 둔 신규 전자책을 발표했다. ‘로옴과 오토모티브 솔루션의 미래를 주도하다’에서는 전력 관리, 조명, 모터 제어 등 차량 전기화를 둘러싼 애플리케이션에 대한 기술적인 통찰력을 …
2021.05.25 by 강정규 기자
인피니언, EV 트랙션 인버터 SiC 6팩 전력 모듈 발표
인피니언이 CoolSiC MOSFET 기술을 채택한 새로운 자동차용 전력 모듈을 오는 6월부터 공급한다. 1200V 풀브리지 모듈 HybridPACK Drive CoolSiC은 전기차 트랙션 인버터에 최적화됐으며, 높은 전력 밀도와 높은 성능을 요구하는 애플리케이션에 …
2021.05.12 by 명세환 기자
화합물 기반 차세대 전력 반도체 R&D 지원 필요하다
전 세계적인 디지털 및 친환경 정책의 가속으로 Si 대비 전력 효율과 내구성이 높은 SiC, GaN 등 화합물 기반 전력 반도체 시장이 새롭게 떠오르고 있다. SiC 반도체는 Si 반도체 대비 10배 높은 전압 내구성, 30% 작은 전력 손실 특성으로 전기차, 태양광 …
2021.04.26 by 이수민 기자
전기연구원, SiC 전력반도체 ‘트렌치 모스펫’ 개발 성공
한국전기연구원(이하 KERI, 원장 직무대행 유동욱)은 SiC 전력반도체 소자 최첨단 기술인 ‘트렌치 구조 모스펫(MOSFET)’을 개발하고, 전문 제조업체와 20억원 규모의 기술이전 계약을 맺었다.
2021.04.21 by 배종인 기자
ST, 갈바닉 절연의 2차측 시그마델타 변조기 2종 선봬
ST마이크로일렉트로닉스가 2차측 갈바닉 절연의 ISOSD61 및 ISOSD61L 시그마델타 변조기를 출시했다. ISOSD61은 TTL/CMOS 호환 클럭 입력과 데이터 출력 신호 레벨을 갖추고 있으며, ISOSD61L은 LVDS와 호환된다. 두 디바이스 모두 86dB의…
2021.04.01 by 강정규 기자
유나이티드SiC, 전원 설계 검증 온라인 평가 도구 제공
유나이티드SiC가 FET제트 칼큘레이터를 출시했다. 사용자는 새로운 도구를 통해 다양한 전력 애플리케이션과 토폴로지에서의 모든 유나이티드SiC FET 및 쇼트키 다이오드의 성능 평가를 온라인으로 할 수 있다. 등록 없이 자유롭게 사용할 수 있으며, 애플리케이션 기능 및…
2021.03.19 by 강정규 기자
"SiC, GaN 기반 반도체 시장, 증가세 뚜렷"
기존 실리콘(Si) 소재 기반 반도체보다 높은 전압을 허용하고, 손실도 낮은, 실리콘카바이드(SiC) 및 갈륨나이트라이드(GaN) 소재 기반의 와이드밴드갭(WBG) 반도체의 활용빈도가 증가하고 있다. 최근 온세미컨덕터는 650V SiC MOSFET를 출시하며 자사의 W…
2021.03.13 by 이수민 기자
KERI, SiC 소재 결정 결함 조기 분석 기술 및 장비 개발
전력반도체 소재로 실리콘(Si)보다 내구성, 범용성, 효율성이 우수한 실리콘카바이드(SiC)가 주목받고 있다. 하지만 SiC 소재는 눈에 보이지 않는 내부의 결정 결함이 있어 반도체 소자의 성능을 낮출 수 있다. 이에 한국전기연구원(KERI) 전력반도체 연구센터 방욱,…
2021.03.10 by 이수민 기자
온세미, AEC-Q101 준수하는 650V SiC MOSFET 공개
온세미컨덕터가 새로운 650V 내압의 실리콘 카바이드 MOSFET 제품군을 공개했다. 기존 실리콘 제품을 대체하는 신제품은 전기차 온보드 충전기, 서버 전원 공급 장치, 무정전 전원 장치, 태양광 인버터, 통신 등의 애플리케이션에 적합하다.
2021.02.19 by 강정규 기자
인피니언 'Si+SiC' 650V 하이브리드 IGBT 제품군 출시
인피니언이 650V CoolSiC 하이브리드 IGBT 디스크리트 제품군을 출시한다. 해당 제품군은 650V TRENCHSTOP 5 IGBT 기술과 유니폴라 구조의 쇼트키 배리어 CoolSiC 다이오드를 결합했다. 높은 스위칭 주파수와 낮은 스위칭 손실로 DC/DC 컨버…
2021.02.18 by 강정규 기자
유나이티드SiC, 온저항 낮춘 750V SiC FET 4종 출시
유나이티드SiC가 4세대 SiC FET 기술 플랫폼을 기반으로 하는 750V SiC FET 4종을 출시했다고 밝혔다. 18mΩ 및 60mΩ 옵션으로 이용이 가능한 SiC FET 신제품 4종은 단위 면적당 온저항 감소와 낮은 고유 커패시턴스로 높은 FoM을 제공한다.
2021.02.12 by 강정규 기자