ST마이크로일렉트로닉스, 6세대 전력 MOSFET 제품군 확장하여
태양열, 통신, 소비가전 기기의 에너지 절감 성능 제공

최신 STripFET™ VI DeepGATE 전력 MOSFET, 전압 정격을 증대함으로써
DC-DC 애플리케이션을 위한 온-상태 및 스위칭 성능 향상

한국, 2011년 6월 28일 – 세계 선도적 종합 반도체사이자 전력용 반도체의 선도기업인 ST마이크로일렉트로닉스 (www.st.com)는 6세대 STripFET™ 기술이 적용된 고효율 전력 트랜지스터 제품군을 확장함으로써, 설계자들이 다양한 애플리케이션에서 에너지 절약 성능을 구현할 수 있도록 보다 다양한 제품을 제공하게 되었다.

최신 STripFET VI DeepGATE 전력 MOSFET는 최대 80V의 전압을 견딜 수 있기 때문에 태양열 애플리케이션 (마이크로 인버터), 통신, 네트워킹, 서버용 전력공급기 등에 사용될 수 있다. 고전압 정격은 48V 통신용 애플리케이션에서도 신뢰할 수 있는 동작을 보장하여 효율 이점을 제공하며, 통신사업자들이 네트워크 운영 비용을 절감할 수 있도록 지원한다. 뿐만 아니라 소비가전 전력공급기는 상대적으로 적은 에너지를 소비하면서 동작 온도가 상대적으로 낮기 때문에 사용자 편의성을 증대시키는 동시에 보다 긴 수명을 제공한다.

새롭게 출시된 5개 신제품은 60V STP260N6F6 및 STH260N6F6-2, 75V STP210N75F6 및STH210N75F6-2, 그리고 80V STL75N8LF6이다. ST의 최신 DeepGATE™ 트렌치 MOSFET 구조를 사용함으로써 다이 면적 당 온저항이 업계에서 가장 낮다. 이를 통해 ST는 저손실 소자를 초소형 업계 표준 패키지에 집적함으로써 고객들이 시스템 효율을 향상시키면서 PCB 공간을 최소화하고 전체 부품 비용을 낮출 수 있도록 지원할 수 있다.

주요 기능
• 60V 및 80V 항복 전압
• 0.0016Ω 온-상태 저항 (STH260N6F6-2)
• 180A 전류 정격 (STx260F6N6)
• 100% 애벌런치 정격

STP260N6F6 및 STP210N75F6은 쓰루-홀 TO-220 패키지로 현재 공급가능하며, 가격은 1,000개 공급물량 기준으로 개당 3.20달러이다. STH210N75F6-2 및 STH260N6F6-2은 표면-실장 H2PAK-2 패키지로 제공되며, 1,000개 공급물량 기준으로 개당 3.50달러이다.

PowerFLAT 5x6 패키지로 제공되어 풋프린트는 줄이면서 전력-처리 성능은 최적화된 STL75N8LF6의 샘플은 2011년 3분기에 공급될 예정하며, 가격은 1,000개 공급물량 기준으로 개당 1.50달러이다. 대량주문의 경우, 가격 조정이 가능하다.

보다 자세한 정보는 www.st.com/pmos를 참조하라.