인피니언 HV GaN
반도체 AI 인더스트리 4.0 SDV 스마트 IoT 컴퓨터 통신 특수 가스 소재 및 장비 e4ds plus
MCU의 한계를 넘어서는 Edge AI, PSOC™ Edge와 DEEPCRAFT™로 구현하는 차세대 스마트 시스템..
2026-03-24 10:30~12:00
이진용 매니저 / Infineon
PSoC™ Edge는 고성능 연산, 초저전력 제어, 보안, 그리고 AI/ML과 HMI를 하나의 MCU에 통합한 차세대 Edge MCU 플랫폼입니다. PSoC™ Edge 는 듀얼 CPU 기반의 멀티 도메인 아키텍처를 통해, 기존 MCU로는 구현이 어려웠던 Always-On AI, 음성·오디오 처리, 그래픽 HMI, 그리고 ..

도시바, 전력 손실 낮춘 1200V 신소재 MOSFET 출시

기사입력2020.10.20 15:26

전력 소비량 감축과 시스템 다운사이징에 유용
높은 전압 저항, 고속 스위칭, 낮은 온저항



도시바는 20일, 1200V 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET ‘TW070J120B’을 출시해 19일부터 출하를 시작했다고 밝혔다.
▲ 1200V 실리콘 카바이드 MOSFET TW070J120B [사진=도시바]

이 제품은 대용량 전원 장치를 비롯한 산업용 애플리케이션에 적합한 제품으로 기존 실리콘(Si) MOSFET이나 IGBT 제품에 비해 높은 전압 저항, 고속 스위칭, 낮은 온저항을 실현했다. 따라서 전력 소비량 감축과 시스템 다운사이징에 유용하다.

또한 신뢰성을 개선한 도시바의 2세대 칩 디자인으로 제작해 입력 커패시턴스와 게이트-입력 전하, 드레인투소스 온저항을 모두 낮췄다. 도시바의 1200V 실리콘 ‘절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)’와 비교해 턴오프 스위칭 손실과 스위칭 타임(폴 타임)을 각각 약 80%, 70% 줄였고 20A 이하의 드레인 전류로 온전압 특성도 낮췄다.

TW070J120B는 대용량 AC-DC 컨버터, 광전지 인버터, 대용량 양방향 DC-DC 컨버터 등 산업용 애플리케이션에서 전력 손실을 줄여 효율을 높이고 장비 사이즈를 줄이는 데 기여할 예정이다.
김동우 기자
기사 전체보기