기존 실리콘 MOSFET 대체, 부품 체적 99％·전력 손실 55％ 감소
로옴(ROHM) 주식회사가 기존의 실리콘 MOSFET를 대체해 사용함으로써, 부품 체적 약 99％, 전력 손실 약 55％를 줄일 수 있는 저전력, 소형 GaN 디바이스를 출시했다.
로옴은 데이터 서버 등의 산업기기, AC 어댑터 등의 민생기기에서 사용되는 1차 전원용으로 650V GaN HEMT 및 게이트 구동용 드라이버 등을 1패키지에 탑재한 파워 스테이지 IC ‘BM3G0xxMUV-LB’(BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB)를 개발했다.
신제품은 차세대 파워 디바이스인 650V GaN HEMT와 GaN HEMT의 퍼포먼스를 최대화시키기 위해 최적화된 전용 게이트 구동용 드라이버 및 추가 기능, 주변 부품을 1패키지에 탑재했다.
또한 폭넓은 구동전압 범위(2.5V∼30V) 등, 1차 전원의 모든 컨트롤러 IC에 대응 가능한 성능을 구비해 기존의 실리콘 MOSFET(Super Junction MOSFET)의 대체 사용이 용이하다.
이에 따라 Si MOSFET에 비해 부품 체적을 약 99％, 전력 손실을 약 55％ 삭감할 수 있어, 저손실화와 소형화를 동시에 실현할 수 있다.
신제품은 2023년 6월부터 양산을 개시(샘플 가격 4,000엔/개, 세금 불포함) 했다.
또한 신제품과 평가 보드 3개 제품(BM3G007MUV-EVK-002, BM3G007MUV-EVK-003, BM3G015MUV-EVK-003)의 온라인 판매도 개시해 CoreStaff, Chip 1 Stop 등 온라인 부품 유통 사이트에서 구입이 가능하다.
