웨비나

Diagnosing System Status and Tuning Gate Resistance Values with SiC MOSFET Evaluation Boards

2021.07.22 10:30~12:15 이건호 차장 / Infineon

SiC MOSFETs are more expensive than silicon devices, but they have the advantage of high efficiency and compact size. However, if system design is not optimized, not only can these advantages not be utilized, but system reliability can also be compromised.

In this webinar, we introduce what tests are conducted to verify "whether the selected device is appropriate" and "whether a suitable gate resistance value has been selected" using an actual SiC MOSFET evaluation board. We will present tuning methods including test procedures and actual waveforms.

1. We introduce test methods for diagnosing the state of systems where SiC MOSFETs and most semiconductor devices are used, and for selecting an optimized gate resistance. This method, called the "Double Pulse Test" by Infineon, is a test method used not only by Infineon but also by many other companies. We explain how to set up and perform the double pulse test.

2. Using an evaluation board consisting of a TO-247 3-Pin SiC MOSFET and 1ED3491 drive IC, we present how gate resistance is selected through the actual double pulse test process.

3. We introduce how to measure Eon and Eoff in the current system from the selected gate resistance.

4. We introduce how to verify that the system's protection function operates properly through a short-circuit test.

5. Finally, we explain the strengths of Infineon's SiC MOSFET and drive IC compared to competitors, and introduce useful evaluation boards that can be effectively utilized.

Device selection and gate resistance value tuning in SiC MOSFET design are the most challenging yet most important aspects. We have prepared this webinar to assist with your designs. We look forward to your participation.
 
Webinar Key Topics
- Setup and test method of double pulse test
- Actual gate resistance tuning using SiC MOSFET evaluation board
- System protection function verification and introduction of Infineon device features and advantages
댓글
42 Comments
이*주 (2021-07-22 오전 11:47:34)
세미나 발표 자료는 어디에서 다운로드 받을 수 있나요?
김*석 (2021-07-22 오전 11:04:57)
기대요
박*원 (2021-07-22 오전 10:52:53)
기대합니다.
전*준 (2021-07-22 오전 10:28:28)
기대됩니다.
조*일 (2021-07-22 오전 10:24:34)
좋은기회 감사합니다.
이*후 (2021-07-22 오전 10:07:29)
시청 대기중
백*영 (2021-07-22 오전 10:02:13)
기대합니다
라**스 (2021-07-22 오전 9:17:43)
웨비나 기대합니다
이*민 (2021-07-22 오전 8:49:37)
SiC에 대한 타사에 비해 인피니언만의 특장점에 대해 설명 해주시면 감사하겠습니다.
백*윤 (2021-07-22 오전 8:49:16)
웨비나 기대됩니다.
이*주 (2021-07-22 오전 8:43:39)
일반 IGBT소자와 비교해서 SiC 소자 게이트 저항선정시 고려할 사항에 대한 설명 부탁드립니다. 감사합니다.
이*철 (2021-07-22 오전 8:33:54)
좋은강의 기대합니다.
강*성 (2021-07-21 오전 10:24:37)
최근 SiC가 대두되네요..
신*영 (2021-07-21 오전 8:16:31)
웨비나 기대됩니다!
이*진 (2021-07-21 오전 8:15:03)
웨비나 기대됩니다
박*혁 (2021-07-20 오후 4:36:32)
좋은 정보 기대합니다
최*휴 (2021-07-20 오전 11:31:57)
기대합니다. 감사합니다.
이*현 (2021-07-19 오후 4:26:04)
기대됩니다. 감사합니다.
강*우 (2021-07-17 오후 9:37:06)
기대가 되는 세미나 입니다.
강*우 (2021-07-17 오후 9:37:05)
기대가 되는 세미나 입니다.
주*원 (2021-07-14 오전 8:55:36)
좋은 방송 기대합니다
이*승 (2021-07-13 오전 11:31:23)
좋은 방송 기대합니다.
김*호 (2021-07-09 오전 9:41:09)
많은 기대 됩니다
송*규 (2021-07-07 오후 10:16:51)
웨비나 기대됩니다!
이*후 (2021-07-07 오후 2:17:07)
바로 보는게 아니고 22일에 하신다는거군요
노*우 (2021-07-07 오후 2:08:25)
일반 fet , igbt 와는 어떤 차이점이있는지 언제 사용하는지 전용 게이트 드라이버는 어떤게 있는지 궁금합니다
박*규 (2021-07-07 오후 12:14:05)
기대할께요~
유*보 (2021-07-07 오전 11:25:11)
화이팅!
김*진 (2021-07-07 오전 10:45:02)
기대되네요
김*수 (2021-07-07 오전 10:39:47)
안녕하세요. 업무에 실질적 도움이 되는 정보 기대합니다. 감사합니다.
김*용 (2021-06-28 오전 9:50:09)
안녕하세요. 유익한 정보 기대합니다.
김*주 (2021-06-28 오전 9:48:41)
세미나 기대됩니다.
강*성 (2021-06-28 오전 8:33:46)
유익한 세미나 기대합니다
이*태 (2021-06-25 오후 10:19:31)
유익한 세미나 기대합니다.^^
김*문 (2021-06-21 오전 9:05:13)
세미나 기대됩니다.
정*화 (2021-06-15 오후 9:02:18)
못 봤는데 다시 보기 안되나요.
박*용 (2021-06-15 오후 12:17:19)
유용한 세미나 기대합니다.
김*중 (2021-06-15 오전 9:12:02)
좋은 강의 기대합니다.
김*준 (2021-06-15 오전 8:58:51)
기대가 됩니다.
정*동 (2021-06-15 오전 8:38:23)
기대되는 강의네요.
정*동 (2021-06-15 오전 8:38:22)
기대되는 강의네요.
허*현 (2021-06-09 오후 4:07:07)
당연히 들어야지요..

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