SiC MOSFET 평가 보드로 시스템 상태 진단하고 게이트 저항값 튜닝하기

Infineon / 이건호 차장

  • 이*준2021-07-22 오후 12:09:25

    수고하셨습니다.
  • e4ds2021.07.22

    참석해주셔서 감사합니다^^ 맛점하세요~
  • 김*래2021-07-22 오후 12:06:37

    제가 Rg에 대해 이해가 부족한 것 같아서... 답변하신 것에서 RG_on과 Rg_off를 구분해서 말씀하시는데, 하나의 Rg가 FET on/off 시에 다른 값을 나타낸다는 뜻인가요?
  • Infineon_12021.07.22

    게이트 저항을 한개만 사용하게 되면 on/off가 같이 적용됩니다. 두개로 나눠서 사용하는게 튜닝에 유리합니다.
  • 이*승2021-07-22 오후 12:06:33

    잘 들었습니다. 감사합니다
  • Infineon_32021.07.22

    참석해 주셔서 감사합니다 ^^
  • 양*호2021-07-22 오전 11:56:39

    감사합니다
  • e4ds2021.07.22

    참석해주셔서 감사합니다. 다음 웨비나에서 만나요!
  • 서*길2021-07-22 오전 11:55:46

    감사합니다.
  • Infineon_32021.07.22

    감사합니다 ^^
  • 김*현2021-07-22 오전 11:49:39

    감사합니다
  • Infineon_32021.07.22

    참석해 주셔서 감사합니다 ^^
  • 김*중2021-07-22 오전 11:45:44

    테스트하신 인덕터는 매우 큰듯합니다. 용량이 어찌되나요?
  • Infineon_12021.07.22

    인덕터는 다양한 값을 선택할수 있는 제품입니다. 수백 uH가 될것 같습니다. 인덕터 용량이 크면 게이트 펄스폭을 낮춰서 원하는 전류를 맞출수 있습니다.
  • 허*현2021-07-22 오전 11:43:22

    mosfet와 igbt의 용도는 어떻게 다른가요?
  • Infineon_12021.07.22

    MOSFET은 작은 전류일떄 손실이 유리하며 내압이 커질수록 전류가 커질수록 IGBT가 유리할수 있습니다.
  • namh***2021-07-22 오전 11:39:42

    오늘 세미나도 유익했습니다. 고맙습니다 다음 세미나에 뵙겠습니다.
  • Infineon_32021.07.22

    참석해 주셔서 감사합니다. 더 좋은 교육으로 찾아뵙겠습니다 ^^
  • 임*수2021-07-22 오전 11:36:00

    그럼 첫번째 펄스의 on은 전류의 off 특성을 보기 전에 on 상태여야 하기 때문인거군요. 그러니까 첫번째 펄스는 off에 의미가 있고 두번째 펄스는 on에 의미가 있고
  • Infineon_12021.07.22

    네 맞습니다 그래서 두번쨰 pulse는 굳이 길게 가져가지 않아도 됩니다.
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