2026년 08월 05일(수)
인피니언 7월21일부터
SiC MOSFET 스위칭 파형의 정확한 시뮬레이션 방법

D-698 2024.09.05 10:30~12:00

ROHM / 이성진 연구원

웨비나정보웨비나Q&A

  • 장혁수2024-09-05T10:54:08.613Z

    [질문] SC 보호 할 때, 전류 과도 상태를 turn off 구간만 해석 하였는데, 실제는 short current 를 포함 하여 시간을 설정(2us) 해야 하지 않나요?

  • 2024-09-05T11:16:33.910Z

    네 맞습니다. SC 보호 시에 디바이스에 인가되는 손실을 분석하기 위해서는, 전체 구간(Ex. 2us)에 대한 파형 분석이 필요하다고 생각됩니다.

  • 최준우2024-09-05T10:54:07.613Z

    Rds(on) 저항이 낮앚지면서 스위칭 손실이 낮아지면 EMI 측면에서도 유리한 부분이 있나요?

  • 2024-09-05T10:59:05.540Z

    스위칭 손실이 낮아지며 발열이 개선됩니다. EMI과 스위칭 손실간의 큰 상관관계는 없습니다.

  • 이용석2024-09-05T10:53:35.137Z

    웹에서 시뮬레이션에 사용된 회로도에 대항 보안은 어떻게 이루어지나요?

  • 2024-09-05T10:56:05.487Z

    폐사 홈페이지에 제공하는 툴의 경우 회로도가 저장되지 않는 것으로 알고 있습니다. 우려되신다면, 폐사 영업 창구를 통해 다시 문의를 주시면, 본사 엔지니어에게 확인 후 보다 정확한 답변을 드릴 수 있도록 하겠습니다.

  • 2024-09-05T11:15:20.370Z

    폐사 웹에서 제공하는 시뮬레이션 툴은 회로도를 저장하지 않는 것으로 알고 있습니다. 다만, 이에 대해 크게 우려가 되신다면, 폐사 영업 창구를 통해 문의 주시면, 본사 엔지니어에게 확인하여, 보다 정확한 답변을 드릴 수 있도록 하겠습니다.

  • 김현민2024-09-05T10:52:47.200Z

    [질문] 마이너스 서지 방지 대책이 있나요?

  • 2024-09-05T10:53:38.303Z

    일반적으로는 Gate - Source 간에 쇼트키 다이오드를 추가하거나, 게이트 드라이버의 Miller clamp 기능을 활용하여 저감하고 있습니다.

  • 이형준2024-09-05T10:52:29.437Z

    제공되는 spice models는 타 일반 spice 에서도 쓸 수 있는 모델인가요

  • 2024-09-05T10:54:47.987Z

    Pspice, LT Spice 자료로 홈페이지에서 제공하고 있습니다.

  • 한지웅2024-09-05T10:52:27.953Z

    발표자료의 시뮬레이션 링크 눌러서 들어가면 페이지가 존재하고 있지 않다고 나옵니다. 링크가 변경된 걸까요?

  • 2024-09-05T11:03:51.967Z

    불편을 드려 죄송합니다. 링크는 변경되지 않았습니다. https://www.rohm.co.kr/solution-simulator?utm_medium=webinar&utm_source=rohm&utm_campaign=240905

  • 진석범2024-09-05T10:52:19.620Z

    혹 TO-220 타입의 고전류 다이오드 중 정전용량이 작은 다이오드 로옴에 있을까요? 600 V, 30 A 이면서 정전용량은 10 pF 미만이면 좋을 것 같은데요.

  • 2024-09-05T10:54:02.070Z

    제품 라인업 확인 후 회신드리도록 하겠습니다. 로옴 홈페이지 링크입니다. https://www.rohm.co.kr/products/diodes

  • 류윤환2024-09-05T10:51:55.497Z

    SiCmosfet제품중에 최고내전압이 얼마까지인 제품이 나오나요? 그리고 스위칭주파수 한계는 얼마정도 되나요?

  • 2024-09-05T10:53:04.080Z

    폐사 기준으로는 1700V(Industrial한정)까지 출시되어 있습니다. 스위칭 주파수 한계는 고객사 세트 동작 조건이나, 회로 등에 따라 크게 달라질 수 있으므로, 답변이 어렵습니다.

  • 최정은2024-09-05T10:51:06.553Z

    [질문] 4세대 threshold 전압을 높여 얻을 수 있는 효과는 무엇인가요?

  • 2024-09-05T10:52:05.333Z

    Self turn on에 의한 Arm short를 문제를 억제할 수 있습니다.

  • 장혁수2024-09-05T10:50:28.390Z

    [질문] FET Paralleling 구동시 전류 쏠림을 방지하는 방안은 무엇이 있을가요? Vgs_th 편차에 따른 Turn on / off 시점 불일치 포함

  • 2024-09-05T11:14:18.340Z

    SiC는 열에 대하여 On저항이 양의 계수를 가지므로, 병렬로 구성하더라도 전류 쏠림 현상이 저감될 수 있습니다. Vgs_th의 편차에 따른 불일치 turn on에 대해서는, 패턴 설계가 매우 중요하며, sic 모듈 설계를 대응하면서 대책을 제시한 사례가 있습니다. 자세한 내용에 대해서는 어려운 부분이 있으므로, 폐사 영업 창구를 통해 문의 주시면 추가적인 서포트가 가능할 것으로 생각됩니다.
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