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SiC MOSFET 평가 보드로 시스템 상태 진단하고 게이트 저항값 튜닝하기

Infineon / 이건호 차장

  • 허*현2021-07-22 오전 10:40:04

    다양한 평가보드를 쉽게 접할 수 있으면 좋겠네요
  • Infineon_32021.07.22

    좋은 의견 감사합니다. 오늘 웨비나가 도움이 되었으면 좋겠습니다 ^^
  • 조*묵2021-07-22 오전 10:36:36

    더블펄스라면 두개의 펄스를 제로점에서 시작할 수 있는지 알고 싶습니다.
  • Infineon_22021.07.22

    발표자료를 보시면 답변이 될 듯합니다. 감사합니다.
  • 이*승2021-07-22 오전 10:35:23

    평가보드로 체크되지 않는 항목도 있는지요?
  • Infineon_12021.07.22

    평가보드는 function test (기능적인부분)을 보기에 최적화 되어 있으며 체크되지 않은 부분도 있을수 있습니다 구체적으로 궁금한 항목을 말씀해주시면 평가보드로 볼수 있는지 여부를 말씀드릴수 있을것 같습니다.
  • 조*묵2021-07-22 오전 10:35:23

    [질문] 제로 크로스 기능도 적용되는 파트가 있나요?
  • Infineon_22021.07.22

    IH application 의 경우 제로크스 turn on을 필요로 합니다. 저희 제품군 중에 single end등 gate IC가 내장된 제품이 있습니다. 물론 제어기로 제로 detaction후에 s/w를 해야 합니다. 감사합니다.
  • 선*걸2021-07-22 오전 10:32:31

    SiC FET를 적용하게 위해선 기존 Gate Driver다른 전용 Device를 사용해야 되는지요?
  • Infineon_22021.07.22

    SiC Mosfet의 경우 별도의 gate IC를 필요하지 는 않습니다. 다만 gate peak current가 작은 경우 빠른 SiC Mosfet의 충분히 빠르게 빠르게 켜지못해 loss가 줄어드는 효과가 줄수 있습니다. 다만, 소자 보호를 위해 desat기능이나 Itrip기능이 좋은 제품을 추천합니다. 감사합니다.
  • 이*훈2021-07-22 오전 10:32:21

    요즘 대두되는 GaN과 SiC FET 선정에 있어 고민이 많이 됩니다. 두 머테리얼이 오버랩되지 않고별도의 독립적인 영역으로 확보하고있는지가 궁금합니다.
  • Infineon_22021.07.22

    GaN의 경우 높은 주파수 구동과 kw이하의 Power 부분인 경우에 유용합니다. .SiC의 경우는 상대적으로 낮은 주파수 100kHz 이하이고 kW이상의 Power에 용이할 것 같습니다. 인버터에 SiC 제품이 유용할 것으로 여겨집니디. 감사합니다.
  • 노*진2021-07-22 오전 10:31:38

    Gate 전압 -4~19V로 설정하고 싶습니다. 어떻게 설정하는지 알수 있을까요.?
  • Infineon_22021.07.22

    - bias 전압과 + bias 전압 인가가 가능합니다. https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-EiceDRIVER_1EDfamily_Technical_description-ApplicationNotes-v01_04-EN.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136e958eed2361d 위의 사이트를 참조하세요. 감사합니다.
  • 김*태2021-07-22 오전 10:30:48

    좋은세미나 기대됩니다.
  • Infineon_32021.07.22

    인피니언 웨비나에 참석해 주셔서 감사합니다 ^^
  • 전*준2021-07-22 오전 10:29:09

    좋은 세미나 기대됩니다.
  • Infineon_32021.07.22

    인피니언 웨비나에 참석해 주셔서 감사합니다 ^^
  • 이*후2021-07-22 오전 10:29:04

    추후 다시보기 웨비나는 실시간 방송에서 했던 것과 동일하게 full time 영상으로 제공되나요?
  • Infineon_32021.07.22

    네, 동일하게 전체 영상으로 다시보기 제공될 예정입니다 ^^
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