SiC MOSFET 평가 보드로 시스템 상태 진단하고 게이트 저항값 튜닝하기

Infineon / 이건호 차장

웨비나정보 웨비나Q&A

조*묵2021-07-22 오전 11:22:16
그렇다면 처음 파워 온 시 소프트 턴온 기능으로 채터링 rining 방지에 도움이 될까요?
Infineon_12021.07.22
초기 파워 온시에는 DC-cap 충전으로 인해 ringing이 발생하거나 차단기가 붙으면서 ringing이 발생했을수도 있을것 같습니다. 원인을 명확하게 찾으면 개선하실수 있을것 같습니다.
문*웅2021-07-22 오전 11:22:11
단락 테스트를 통해서 시스템의 보호 기능이 잘 동작하는지 확인하려는 경우 점검하고 검토해야 할 요소들에 대해서 질문드립니다
Infineon_22021.07.22
gate ringing, peak 전압은 충분히 마진을 있는지, peak 전류는 얼마나 되는지 확인을 보시고 마진이 있는지 확인이 필요합니다. 감사합니다.
강*철2021-07-22 오전 11:22:10
매번 아쉬움이 남아요. 매번 참석할수없어서... 좋은 정보재공 감사드립니다. ^^
Infineon_32021.07.22
인피니언 웨비나에 참석해 주셔서 감사합니다. 추후 다시보기도 제공될 예정이오니 참고 부탁 드립니다 ^^
김*철2021-07-22 오전 11:21:35
수고하셨습니다~
Infineon_32021.07.22
인피니언 웨비나에 참석해 주셔서 감사합니다 ^^
나*엽2021-07-22 오전 11:21:17
수고하셨습니다.
Infineon_32021.07.22
유익한 시간 되셨기를 바랍니다 ^^
오*정2021-07-22 오전 11:21:01
잘 들었습니다!
Infineon_32021.07.22
인피니언 웨비나에 참석해 주셔서 감사합니다 ^^
강*민2021-07-22 오전 11:20:44
Thanks so much
Infineon_32021.07.22
참석해 주셔서 감사합니다 ^^
limy***2021-07-22 오전 11:20:21
수고하셨습니다
Infineon_32021.07.22
유익한 시간 되셨기를 바랍니다 ^^
이*수2021-07-22 오전 11:20:19
SiC MOSFET 설계를 하는 경우 소자 선정과 게이트 저항값 튜닝을 효율적하는 방법에 대해서 문의드립니다
Infineon_12021.07.22
소자 선정은 두가지 선택이 있을것 같습니다. 1) 내압이 650V? 1200V? 2) Rds_on 값 내압에 마진이 너무 적으면 큰 Rg가 필수라서 스위칭 손실이 커질수 있습니다. Rds_on이 작을수록 Qg값이 크며 스위칭 손실이 높아집니다 Fsw가 아주 크다면 적당한 Rds_on이 best입니다. Rg 선정에도 두가지 파라미터가 있습니다. 1) turn-off spike 2) c*dv/dt 1)에서는 Rg-Off를 키워야 하고 2) 에서는 Rg_on을 키우고 Rg_off를 줄여야 하기 떄문에 두가지 테스트를 반복하면서 값을 찾아야합니다.
강*완2021-07-22 오전 11:20:18
유용한 정보에 무한감사^^수고하셨습니다
Infineon_32021.07.22
감사합니다 ^^