SiC MOSFET 평가 보드로 시스템 상태 진단하고 게이트 저항값 튜닝하기

Infineon / 이건호 차장

웨비나정보 웨비나Q&A

임*수2021-07-22 오전 11:18:19
더블펄스 테스트의 주요 목적은 시스템에서 SiC 소자의 switching loss를 측정하기 위함인가요?
Infineon_22021.07.22
네 Eon, Eoff 및 dv/dt, di/dt 등 다양한 dynamic 특성을 확인하실 수 있습니다. 감사합니다.
문*웅2021-07-22 오전 11:17:57
시스템 보호 기능을 체크하는 경우 인피니언 소자를 어떻게 활용하면 효율적인 지 질문드립니다
Infineon_12021.07.22
보호기능의 경우 short circuit 내량이 큰 힘이 될것 같습니다. 내량이 3us라면 소자 보호기능 구동이 그안에 동작해야합니다.
김*호2021-07-22 오전 11:17:09
좋은 세미나 감사드립니다. 자주 이런 기회 주시면 감사드리겠습니다.
Infineon_32021.07.22
참석해 주셔서 감사합니다. 곧이어 재방송이 시작되오니, 혹시 놓치신 부분이 있거나 다시 확인하시고 싶은 부분이 있다면 재방송으로 시청 부탁 드립니다 ^^
김*래2021-07-22 오전 11:15:40
Eon과 Eoff는 측정 장비에서 표시되나요?
Infineon_12021.07.22
Eon 과 Eoff는 측정해서 얻는 결과입니다. 전류,전압 (Vds) , 게이트 전압 (Vgs)를 측정하고 오실로스코프에서 전류*전압을 해서 적분시키면 값을 얻을수 있습니다. 해당 오실로 스코프가 계산기능을 내장하고 있어야 합니다.
김*호2021-07-22 오전 11:14:37
말씀 해주신 부분이 맞네요.. eon, eoff만 2% 이네요. 감사드립니다.
Infineon_12021.07.22
또 궁금한 부분이 있으며 질문주세요
최*석2021-07-22 오전 11:14:07
인피니온 SiC MOSFET datasheet에 MOSFET dv/dt ruggedness 항목이 있는데(200V/ns), Body diode가 아닌 hard switching에서 dv/dt로 알고 있는데, switching dv/dt는 이론적인 failure mode로 SiC MOSFET이 fail되는 경우가 있는지요?
강*성2021-07-22 오전 11:13:41
병렬 구동하면 전류는 분산되지만 Qgs는 2배가 되는것 아닐지요?
Infineon_12021.07.22
네 맞습니다 C값이 두배가 됩니다.
조*묵2021-07-22 오전 11:13:16
게이트 소스 전압에 체터링 현상에 따른 대책이 있을까요?
Infineon_12021.07.22
ringing을 말씀하시는건지요? 게이트 패스가 길면 ringing이 심하며 DC-link로 인해 dv/dt가 흔들리면 게이트단도 흔들릴수 있습니다. 의도적으로 DC-link 패스와 게이트 패스를 길게 해보시면 누가 ringing을 만들고 있는지 보실수 있을것 같습니다.
김*호2021-07-22 오전 11:13:16
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Discrete_IGBT_Datasheet_Explanation-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462501ee6fd015023070b8b306d 여기에 보면.. ? t(d)on : time interval from 10% of VGE to 10% of ICM (left side) ? tr : time interval from 10% of ICM to 90% of ICM (left side) ? t(d)off : time interval from 90% of VGE to 90% of ICM (right side) ? tf : time interval from 90% of ICM to 10% of ICM (right side)
Infineon_12021.07.22
Td,on과 Td,off는 10%~90%가 맞을겁니다. Eon,Eoff는 다른값define되어 있습니다.
김*석2021-07-22 오전 11:11:50
네.. 답변감사합니다. 그라운드 분리 용 제품을 단순 전류비드를 쓰면 되나요? 대전류용은 없을듯해서요...혹시 조언이 되시나요?
Infineon_12021.07.22
가능하면 bead사용보다는 게이트 path를 짧게 하는것으로 추천을 드리고 싶습니다. 그러기 위해서는 대부분의 기능이 내장된 Drive Ic 선택을 하시면 compact하게 설계가 가능합니다. 게이트 path에 전류 booster , 제너 , on,off 구분 저항등 소자들이 추가되면 루프가 길어져서 어려움이 있을수 있습니다.