SiC MOSFET 평가 보드로 시스템 상태 진단하고 게이트 저항값 튜닝하기

Infineon / 이건호 차장

웨비나정보 웨비나Q&A

최*석2021-07-22 오전 10:52:42
인피니온 제품은 Trench gate라 Vth drift가 덜 발생하는것으로 알고 있는데, negative drive시에는 인피니온 제품도 Vth drift 문제가 있는지요?
Infineon_12021.07.22
모든 SiC MOSFET은 문턱전압 이슈를 가지고 있습니다 그렇기 떄문에 업체마다 negative 전압에 대한 limit를 제공하고 있습니다. 인피니언은 AN 파일에 주파수와 negative 전압을 이루어진 SOA 영역을 제공합니다.
김*주2021-07-22 오전 10:51:42
[질문] SIC MosFet을 전기차 구동 인버터에도 적용이 되나요?
Infineon_22021.07.22
오래 전부터 시험하며 검토 중인 것으로 알고 있습니다. 감사합니다.
김*용2021-07-22 오전 10:50:53
소자특성관련 세미나 자주 해주시면 좋겠습니다.
Infineon_32021.07.22
좋은 의견 감사합니다 ^^
김*진2021-07-22 오전 10:50:12
gate parastic turn-on 은 턴-오프 시 의도하지 않은 재 턴-온 인데요, 이러한 상황에서 turn-on 저항이 커지는 것이 아무런 영향이 없을것 같아서 질문을 드립니다.
Infineon_12021.07.22
하단에 기생 턴온이 발생할때는 상단에서 만든 dv/dt가 영향을 주는데 상단 Rg_on이 영향을 줍니다 상단에 기생턴온이 발생할때는 하단에서 만든 dv/dt가 영향을 주는데 하단 Rg_on이 영향을 줍니다. 결국 서로가 서로에게 Rg_on 영향을 주게 됩니다.
조*묵2021-07-22 오전 10:50:11
제품에 어떤 인증이 적용 되었나요? UL? CE?
Infineon_12021.07.22
UL의 절연관련 인증을 말씀하시는거 맞으신지요? 일반적으로 UL절연 인증은 chip에 달리지 않고 패키지로 받게 됩니다. 이미 UL을 갖고 있는 Easy 패키지에 SiC MOSFET이 들어가면 마찬가지로 인증을 받게 됩니다.
김*문2021-07-22 오전 10:50:01
답변 감사합니다. 노칭 및 데드 타임 고려도 해야 겠네요.
Infineon_12021.07.22
스위칭 속도가 아주 빠르기 떄문에 데드타임으로인한 short 보다는 c*dv/dt로 인한 short가 더 빈번하게 발생합니다. us단위 데드타임이면 충분해 보이며 ns로 데드타임을 주실때는 측정이 필요해 보입니다.
김*문2021-07-22 오전 10:48:05
좋은 정보 감사합니다. 기존 모스펫 보다 스위칭 주파수를 빨리 할 수 있겠네요
Infineon_12021.07.22
모스펫도 높은 스위칭 주파수를 구동할수 있으나 1200V까지 내압이 올라가면 작은 Rds_on 값이 없고 recovery특성에서 차이가 많이 납니다.
이*무2021-07-22 오전 10:48:02
인덕터 선정은 어떻게 해야 하나요? 일반 파워 인덕터를 사용하면 되나요?
Infineon_22021.07.22
사용 인덕터의 값이 크면 전류의 증가 속도가 늦어 지고, 낮은 경우 전류 증가 속도가 빠르게 됩니다. 초기 Pulse를 인가하여 전류의 증가 속도를 확인하시고 진행하시면 됩니다. 일반적으로 uH 단의 인덕터를 사용하여 pulse duty를 조정하여 target 전류에 도달하게 됩니다. 감사합니다.
정*수2021-07-22 오전 10:47:33
SiC 관련 반도체들은 수급 상황이 어떤가요?
Infineon_12021.07.22
SiC 를 포함해서 모든 반도체 수급이 별로 안좋은것으로 알고 있습니다.
최*석2021-07-22 오전 10:45:13
Negative Voltage drive가 Long term reliability에 영향을 주는 이유가 어떤것인지요?
Infineon_12021.07.22
negative전압이 클수록 Fsw가 빠를수록 문턱전압이 shift되는 형상이 발생하며 이미 많은 논문이 있는것으로 알고 있습니다.