SiC MOSFET 평가 보드로 시스템 상태 진단하고 게이트 저항값 튜닝하기

Infineon / 이건호 차장

웨비나정보 웨비나Q&A

배*역2021-07-22 오전 10:44:40
금일 진행되고 있는 자료 공규가 되지 않나요 ?
Infineon_32021.07.22
금일 웨비나는 별도로 발표자료가 제공되지 않는 점 양해 부탁 드립니다.
김*주2021-07-22 오전 10:44:27
듣고 싶은 정보 감사합니다. 수고많으셨습니다.
Infineon_32021.07.22
오늘 유익한 정보 많이 얻어가시길 바랍니다 ^^
이*진2021-07-22 오전 10:44:21
안녕하세요.
Infineon_32021.07.22
반갑습니다~ ^^ 인피니언 웨비나에 참석해 주셔서 감사합니다.
이*민2021-07-22 오전 10:43:14
타사에 비해 인피니언사만의 SiC 특징에 대해 말씀해주시면 감사하겠습니다.
Infineon_12021.07.22
1) 문턱전압이 타사보다 1~2V높다 (4.5 typ) 2) short circuit 내량을 데이터 시트에서 보증하고 있다 가장큰 차이는 이정도가 될것 같습니다.
이*신2021-07-22 오전 10:43:13
나중에 자료 공유하시겠지요?
Infineon_32021.07.22
금일 웨비나는 별도로 발표자료가 제공되지 않는 점 양해 바랍니다.
김*식2021-07-22 오전 10:43:02
좋은 세미나 감사합니다.
Infineon_32021.07.22
인피니언 웨비나에 참석해 주셔서 감사합니다 ^^
김*진2021-07-22 오전 10:42:45
gate parastic turn-on 과 increase Rg_on 은 무슨 관계가 있나요? 제가 생각하기에는 아무 연관이 없어보이는데요.
Infineon_12021.07.22
게이트 parastic turn-on은 c*dv/dt 로 결정되는데 C값은 소자의 기생성분이라 고정값인데 비해 dv/dt는 게이트 저항값에 따라서 바뀌는 값입니다. 그래서 Rg_on이 커지면 dv/dt가 작아지기 떄문에 영향을 받습니다.
선*걸2021-07-22 오전 10:41:58
좋은 정보 감사합니다~ ^^
Infineon_32021.07.22
오늘 유익한 시간 되시길 바랍니다 ^^
정*진2021-07-22 오전 10:40:36
[질문] MOSFET가 타 사 시스템 상태 진단 제품대비 어떤 점이 강점인지?와 게이트 저항값 튜닝을 위한 별도의 표준이 있는지? 궁금합니다.
Infineon_12021.07.22
두가지 강점이 있습니다. 1) 문턱전압이 타사보다 1~2V높다 2) short circuit 내량을 데이터 시트에서 보증한다 소자기준으로는 c*dv/dt로 인해 게이트쪽 기생전압이 문턱전압을 넘지 않아야 되면서 turn-off시 spike전압이 내압을 넘지 않도록 튜닝해야합니다. 시스템 기준으로는 EMI도 만족해야합니다.
손*환2021-07-22 오전 10:40:31
[질문] SiC MOSFET 평가 보드는 실제 제품 PCB처럼 노이즈나 전원 간섭의 영향까지 고려하여 설계하나요
Infineon_12021.07.22
평가보드로 EMI까지 측정해보지는 않는것 같습니다 또한 같은 보드를 사용하더라도 외부의 시스템 구성에 따라서 EMI값이 달라질수 있어 노이즈 부분은 평가보드로 체크하기가 쉽지 않은거 같습니다.