마이크로칩 9월
‘화합물 반도체’ 키워드 기사 34
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    온세미 S5 라인 공개…SiC 웨이퍼 100만장 생산체제 구축

    온세미가 SiC 웨이퍼 케파를 최대 100만장까지 확충하며 SiC 전력반도체 시장 리더십 쟁취에 사활을 걸고 있다. 부천 S5 라인 준공이 완료되며 현 SiC 시장에서 2위의 점유율을 갖고 있는 온세미가 한 단계 더 도약할 수 있을지 기대를 모으고 있다.

    2023.10.24 by 명세환 기자

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    GaN RF 시장, 28억불 성장

    중국이 게르마늄을 비롯한 갈륨 소재의 수출 규제를 발표한 가운데 질화갈륨(GaN) 소재 기반 RF 반도체 시장이 급격히 성장할 것으로 기대된다. 이에 따라 국내 GaN 반도체는 활발한 기술 개발과 탐색이 연구단에서 이뤄지고 있는 반면, 아직은 산업 기반이 갖춰지지 않은…

    2023.08.04 by 명세환 기자

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    “반도체 신모델·신소재·신구조 3新, 기초과학 기반 必”

    전세계적인 첨단산업 패권 경쟁시대 속에 미래 산업 경쟁력 확보를 위해선 한국의 기초과학 기반이 튼튼해야 한다는 목소리가 전해졌다.

    2023.06.13 by 명세환 기자

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    온세미, 'SiC' 집중 전략으로 성장 가속화

    자동차 산업을 위시한 에너지 분야에서 실리콘 카바이드 반도체의 성장잠재력이 점차 가시적 성과로 반영되고 있다. 온세미 발표에서 SiC 램프의 이익 목표가 2027년까지 53%에 이를 것으로 전망해 SiC에 집중한 성장 전략이 대두되고 있다.

    2023.05.30 by 명세환 기자

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    TI, 독립식 AEF IC 출시…”高밀도·3MHz 이하 EMI 솔루션 제공”

    오토모티브, 항공우주, 산업용 등에서 와이드 밴드 갭 화합물 반도체가 시장 점유율을 높여가는 가운데 이러한 소자는 빠른 스위칭 특성과 높은 전력 밀도가 장점이지만 해당 특성으로 인해 회로 설계 시 노이즈 해결도 한층 중요해졌다.

    2023.04.18 by 명세환 기자

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    SiC·GaN 다음은 ‘산화갈륨’, “먹거리 많다”

    차세대 반도체로 불리는 화합물 반도체 패러다임 전환 속에서 SiC·GaN 화합물 반도체 다음 스텝을 준비하는 움직임이 포착됐다.

    2023.03.23 by 명세환 기자

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    경남도, SiC·GaN 전력반도체 특화 추진

    반도체가 국가경쟁력의 핵심 산업으로 추앙받고 있는 가운데 정부에서 추진하는 국가첨단전략산업 특화단지 공모에서 반도체 분야가 치열한 유치 경쟁으로 지자체가 사활을 걸고 있다.

    2023.03.07 by 명세환 기자

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    TI, 서버 PSU에 GaN소자·실시간 MCU 공급

    데이터 센터, 통신 장비 및 다수의 산업용 애플리케이션은 더 큰 전원 공급 장치를 필요로 하고 있으며, △시스템 크기 △무게 △환경에 미치는 영향의 축소 및 비용 절감을 요구받고 있다. 이에 따라 엔지니어는 열 성능을 향상시키는 동시에 동일하거나 더 작은 크기의 폼팩터…

    2023.03.06 by 명세환 기자

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    아날로그·임베디드 칩메이커, 신규 팹 구축 박차

    꽃샘추위처럼 불어닥친 글로벌 경기 한파에도 불구하고 기간산업인 반도체 업계 칩메이커들은 장기적인 시장 전망과 아날로그 및 임베디드 칩 수요 확대에 따른 투자 단행도 서슴지 않고 있다. 지난해부터 최근까지 발표된 아날로그·임베디드 칩메이커들의 신규 팹 동향과 더불어 지속…

    2023.02.21 by 명세환 기자

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    [전자파학회 동계학술대회]웨이비스, “올 하반기 X밴드 대역 커버 0.2μm 파운드리 오픈”

    갈륨나이트라이드(GaN) 소재는 실리콘(Si)이 가진 물리적 한계를 뛰어넘는다. GaN 화합물반도체가 대두됨에 따라 고온동작과 높은 전자밀도 및 항복전압의 특성을 이용해 고출력 RF 증폭기와 고전력용 반도체 소자 등으로 제품 상용화가 이뤄지고 있는 추세이다.

    2023.02.20 by 명세환 기자

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    온세미, 파워 웨비나 시리즈 개최

    온세미가 오는 27일부터 2주간 전원 공급 장치 설계 분야 엔지니어들을 위해 파워 웨비나(Power Webinar)를 개최한다. 이번 웨비나는 엔지니어들의 전원 공급 장치 설계에 대한 이해를 향상하고 에너지 효율성과 시스템 성능을 개선하는 방법을 알리는 데 초점을 맞췄…

    2022.10.12 by 명세환 기자

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    “WBG소자 채택↑, SiC·GaN 파라미터 측정 必”

    다양한 애플리케이션에서 와이드밴드갭(Wide Bandgap ,WBG) 반도체가 채택되는 추세이다. 이는 실리콘 기반 반도체보다 △빠르며 △스위칭 로스가 적고 △보다 작은 폼펙터를 가져 전체 시스템 비용 감소에 기여하기 때문이다.

    2022.09.06 by 명세환 기자

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    [전자파학회 하계학술대회]웨이비스, “국내 유일 GaN 반도체 팹 보유”

    차세대 반도체 소자로 손꼽히는 갈륨 나이트라이드(GaN) 반도체는 저전력 솔루션의 핵심으로 전력 효율이 높고 더 높은 주파수, 전압, 온도에서 낮은 전력 손실로 작동이 가능해 관련 시장이 점차 확대되고 있는 추세이다.

    2022.08.23 by 명세환 기자

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    온세미, SiC 생산 시설 확장 본격화

    실리콘 카바이드(SiC)는 전기 자동차(EV), EV 충전 및 에너지 인프라에서 효율성을 구현하는 데 필요한 반도체 소재로 각광받고 있으며, 탈탄소화에 큰 기여를 하고 있다. 전체 SiC 시장은 연평균 33%의 성장률로 성장할 것으로 예상되는 가운데 반도체 기업들이 S…

    2022.08.16 by 명세환 기자

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    ST, RF GaN-on-Si 프로토타입 기술·성능 이정표 달성

    5G를 넘어 6G 통신 인프라 구축에 필요한 기술 경쟁이 진전을 보이고 있다. 초기 세대 RF 전력 증폭기는 LDMOS가 이끌어왔지만 이보다 탁월한 RF특성과 출력을 제공하는 RF GaN-on-Si 기술이 프로토타입에서 성과를 보이며 대량생산을 목표로 연구 개발이 가속…

    2022.06.07 by 명세환 기자