ST, 100W급 GaN 컨버터 ‘VIPerGaN’ 2종 출시
ST마이크로일렉트로닉스가 에너지 효율형 가전 및 전자기기를 대상으로 한 100W급 고전압 컨버터 ‘VIPerGaN100W’와 ‘VIPerGaN100WB’를 출시하며, 질화갈륨(GaN) 기반 전력 변환 솔루션을 통해 컨슈머 전자제품의 효율 개선에 나선다. 전력 스위치와 …
2026.05.18 by 배종인 기자
“GaN, 에피웨이퍼 품질 개선될수록 시장 확대”
노영균 아이브이웍스 대표이사는 지난 24일 서울 FKI타워 컨퍼런스센터에서 열린 ‘고기능성 반도체 소재 기술세미나’에서 GaN 에피웨이퍼 기술 흐름과 함께 향후 반도체 시장의 변화를 전망했다. 차세대 반도체 소재로 주목받고 있는 질화갈륨(GaN, Gallium Nitr…
2026.04.28 by 배종인 기자
“초저전력 전력반도체 SiC·GaN 주도”
전력 공급 능력이 AI 혁신의 속도와 성패를 가늠하는 핵심 요소로 부상하고 있는 가운데 이론적 한계에 부딪힌 실리콘을 대신해 새로운 전력 반도체 소재로 급부상하고 있는 SiC, GaN이 주도하는 반도체 시장에 대해 살펴봤다.
2026.04.23 by 배종인 기자
중동발 에너지 쇼크, ‘손실을 줄이는 칩’으로 몰린다
중동발 유가·가스 급등이 전력 생산비와 도매가격을 통해 산업 전반의 비용 구조를 흔들고 있는 가운데, 초저전력 전력반도체가 단순 부품 교체가 아닌 전력 아키텍처의 재설계로 에너지 비용과 탄소·효율 규제가 겹치는 구간에서 가장 확실한 비용 절감 수단으로 자리매김하고 있다…
2026.04.23 by 배종인 기자
ST, 모션 제어용 GaN 게이트 드라이버 2종 공개
ST마이크로일렉트로닉스가 모션 제어와 전력 스테이지를 겨냥한 고속 하프브리지 GaN 게이트 드라이버 2종을 공개했다. 새 제품은 220V용 STDRIVEG212와 600V용 STDRIVEG612로, 5V 게이트 구동과 보호 기능, 부트스트랩, LDO를 한 패키지에 묶은…
2026.04.14 by 배종인 기자
“전력반도체, 수명 계산하며 끝까지 검증해야 하는 시스템 핵심 요소”…개발자가 꼭 알아야 할 핵심 포인트
전력반도체가 전기차, AI 데이터센터, 재생에너지 장비처럼 전기를 많이 쓰는 제품의 성능을 좌우하는 핵심 부품으로 주목 받으며, 전력반도체를 이용하는 개발자들이 전력반도체 수명 예측과 이를 검증할 수 있는 기술에 대한 요구가 증가하고 있다. 이에 개발자가 꼭 알아야 할…
2026.04.13 by 배종인 기자
“소자만 바꾸면 끝”은 착각…SiC·GaN 시대, 개발자 실무 체크리스트 10
탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN)은 더 높은 전압과 온도, 더 빠른 스위칭을 가능하게 해 전기차, AI 데이터센터, 산업용 전원, 재생에너지 설비의 효율을 끌어올리는 핵심 소자로 주목받고 있는 가운데 개발자들이 GaN, SiC 반도체를 사용할 때 실무에서 어떤 것들…
2026.04.10 by 배종인 기자
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실리콘 한계 넘는 WBG 반도체, 전력 시장 판 바꾼다
인공지능(AI) 데이터센터의 전력 수요가 급증하고, 전기차와 재생에너지 설비가 전 산업으로 확산되면서 전력 반도체 시장의 중심축이 SiC, GaN 등의 와이드밴드갭(WBG) 반도체로 옮겨가고 있다. 와이드밴드갭 전력반도체 시장에서는 TI, 인피니언, ST, 온세미, 울…
2026.04.10 by 배종인 기자
ST, 가전·산업용 모터 제어용 GaN 레퍼런스 디자인 공개
ST마이크로일렉트로닉스가 가전제품과 산업용 드라이브용 모터 제어를 겨냥한 GaN 기반 레퍼런스 디자인 ‘EVSTDRVG611MC’를 공개했다. 이 보드는 STDRIVEG611 게이트 드라이버, 650V급 GaN HEMT, STM32G431 마이크로컨트롤러를 결합한 3상…
2026.03.30 by 배종인 기자
ST, GaN 전력 IC ‘MasterGaN6’ 출시…충전기·조명·태양광 겨냥
ST마이크로일렉트로닉스가 2세대 MasterGaN 하프 브리지 전력 IC ‘MasterGaN6’을 출시했다. 이 제품은 140mΩ의 RDS(on)을 지원하는 GaN 전력 트랜지스터와 업데이트된 BCD 드라이버를 하나의 패키지에 통합한 것이 특징이다. 스탠바이와 결함 표…
2026.03.18 by 배종인 기자
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“휴머노이드, 핵심은 모터 제어와 전력 효율”
휴머노이드 로봇 설계의 핵심은 인간과 유사한 외형보다 정밀한 내부 시스템에 있다. 최근 발표한 텍사스인스트루먼트(TI, Texas Instruments)의 기술 자료는 고자유도 모터 제어, GaN 기반 전력 소자를 활용한 고효율·소형화 설계, 고해상도 전류·전압 센싱을…
2026.03.10 by 배종인 기자
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태양광·ESS 시장을 겨냥한 모놀리식 양방향 스위치의 진화
재생에너지와 에너지 저장 시스템(ESS) 시장이 빠르게 성장하면서, 전력 변환 효율과 시스템 소형화를 동시에 만족시키는 반도체 기술에 대한 요구가 높아지고 있다. 이러한 흐름 속에서 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)가 선보인 CoolGaN™…
2026.02.26 by 배종인 기자
인피니언, GaN 시장 2030년 30억 달러 전망…AI·로보틱스 적용 확대
인피니언 테크놀로지스가 연례 보고서 ‘GaN 인사이트 2026’을 통해 GaN(갈륨 나이트라이드) 전력 반도체 시장이 2030년 약 30억 달러 규모로 성장할 수 있다고 제시했다. 보고서는 2026년 시장 규모를 9억2000만 달러로 추산하며, 2025년(5억8400만…
2026.02.12 by 명세환 기자
TI, “로보틱스 시장 ‘시스템 레벨’ 솔루션 전략 본격화”
텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI)가 기자간담회를 열고 산업 자동화 및 로보틱스 총괄 지오반니 캄파넬라(Giovanni Campanella)가 직접 방한해 로보틱스 기술 변화와 이에 대응하는 TI의 제품·정책 방향을 공개했다. 캄파넬라 총괄은 …
2026.02.09 by 명세환 기자
‘GaN’, 미래 전력 기술 핵심 축 자리매김…인피니언 중전압 GaN 양방향 스위치·300㎜ 파워 GaN 기술 전력 전자 패러다임 변화 이끌어
인피니언(Infineon Technologies AG)의 중전압 GaN 양방향 스위치(CoolGaN™ BDS 40V G3)와 300㎜ 파워 GaN 기술이 업계에서 ‘게임체인저’로 평가받으며 차세대 전력 시스템의 핵심 축으로 부상하고 있는 것으로 나타났다.
2026.01.05 by 배종인 기자