한국전자통신연구원(ETRI) 이형석 책임연구원은 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘GaN 와이드 밴드갭 전력반도체 기술 개발 현황 및 시장 동향’에 대해 발표하며, GaN 전력 반도체의 개발 현황과 향후 전망을 심도 있게 소개했다. 이형석 연구원은 “GaN은 후발주자지만 기술적 한계를 극복하며 빠르게 발전하고 있다”며 “리모트 에피 등 차세대 기술을 통해 전력 반도체의 새로운 지평을 열 수 있을 것”이라고 전망했다.
지능형 전력 및 센싱 기술 선도 기업 온세미가 차세대 전력반도체 기술인 버티컬 질화갈륨(vGaN)을 공개했다. 이번 신제품은 AI 데이터센터, 전기차, 재생에너지 등 전력 집약적 산업의 수요 급증에 대응하기 위해 개발된 것으로, 독자적인 GaN-on-GaN 구조를 적용해 고전압에서도 전류를 수직으로 전달, 빠른 스위칭과 소형화를 동시에 구현한다.
글로벌 반도체 기업 STMicroelectronics(이하 ST)는 지난 3일 단국대학교 죽전캠퍼스에서 STEM your way 프로그램을 진행했다. 참여한 학생들은 SiC 전력반도체와 IGBT 모듈을 직접 확인하고, STM32 기반 임베디드 개발을 현업 엔지니어와 함께 실습하며 큰 성과를 얻었다. 특히 MCU의 동작 원리와 하드웨어 시퀀스 설정 과정을 처음부터 끝까지 체계적으로 이해할 수 있었고, 실제 제품 개발 과정에 대한 엔지니어들의 경험 공유가 실습 자신감을 높였다. 또한 글로벌 반도체 기업 ST가 여성 엔지니어 양성을 적극 지원한다는 점에서 진로 선택에 긍정적인 영향을 줬다. 이에 이번 행사에 참여한 박소희 단국대학교 공과대학 전자전기공학과 학생과 만나 STEM your way 프로그램에 참여한 소감을 들어봤다.