인텔 파운드리, 18A-P 공정 시험 생산 진입
인텔 파운드리가 2026 VLSI 심포지엄에서 18A 대비 동일 전력에서 성능 9% 향상, 동일 성능에서 전력 18% 절감을 구현한 18A-P 공정의 시험 생산 진입을 발표했다. 듀얼 콘택트 트랜지스터 '파워 부스트'와 다섯 번째 로직 Vt 추가 등으로 성능을 끌어올렸…
2026.06.17 by 배종인 기자
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코보, IMS2026서 RF 솔루션 라이브 데모 공개
커넥티비티 및 전력 솔루션 기업 코보(Qorvo)가 미국 보스턴에서 열리는 IMS2026에 참가해 RF 솔루션을 공개한다. 코보는 위성통신, 5G, IoT, 방위, 무선 인프라 분야를 대상으로 라이브 데모와 반도체 파운드리 서비스를 소개할 예정이다.
2026.06.02 by 배종인 기자
프라딥 셰노이(Pradeep Shenoy) TI 컴퓨팅 파워 기술 책임자, “‘800V·GaN·SST’ 랙당 1MW 시대 전력 인프라 가능케 한다”
데이터센터 전력 수요가 AI 확산으로 폭증하며 기존 48V 아키텍처가 한계에 도달했고, 800V DC 기반 구조로의 전환이 요구되고 있다. 800V DC 전환을 위해서는 PSU·IBC·BBU 등 전력 체계 전반의 재설계가 요구되며, GaN·SST 같은 와이드밴드갭 기반…
2026.05.29 by 배종인 기자
인피니언, 엔비디아 MGX AI 팩토리 생태계 합류…AI 데이터센터 전력 아키텍처 협력
인피니언 테크놀로지스가 엔비디아의 MGX AI 팩토리 생태계에 참여하며 차세대 AI 데이터센터 전력 구조 대응에 나섰다. 양사는 800VDC 기반 전력 아키텍처를 중심으로 고성능·고밀도 인프라 확보를 위한 협력에 나선다는 방침이다.
2026.05.29 by 배종인 기자
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GaN 전력반도체, 고효율 전력 시스템 핵심 기술 부상
전력반도체 시장에서 질화갈륨(GaN) 기술이 고효율·고속 스위칭 특성을 기반으로 다양한 산업으로 확산되고 있다. 디지털 전력 시스템과 AI 인프라 확대로 전력 효율 개선 요구가 커지는 가운데, 회로 설계 환경에서는 GaN 소자의 구조와 활용 방식에 대한 비교 분석도 이…
2026.05.27 by 배종인 기자
“스마트 가전 혁신, AI·매터·GaN·IoT 기술로 구현”
인피니언(Infineon Technologies)이 최근 발간한 백서 ‘Engineering modern intelligent home appliances’는 스마트 주방과 지능형 가전이 소비자의 편의성 요구뿐 아니라 지속가능성, 낮은 전력소모, 긴 제품 수명이라는 과…
2026.05.20 by 배종인 기자
ST, 100W급 GaN 컨버터 ‘VIPerGaN’ 2종 출시
ST마이크로일렉트로닉스가 에너지 효율형 가전 및 전자기기를 대상으로 한 100W급 고전압 컨버터 ‘VIPerGaN100W’와 ‘VIPerGaN100WB’를 출시하며, 질화갈륨(GaN) 기반 전력 변환 솔루션을 통해 컨슈머 전자제품의 효율 개선에 나선다. 전력 스위치와 …
2026.05.18 by 배종인 기자
“GaN, 에피웨이퍼 품질 개선될수록 시장 확대”
노영균 아이브이웍스 대표이사는 지난 24일 서울 FKI타워 컨퍼런스센터에서 열린 ‘고기능성 반도체 소재 기술세미나’에서 GaN 에피웨이퍼 기술 흐름과 함께 향후 반도체 시장의 변화를 전망했다. 차세대 반도체 소재로 주목받고 있는 질화갈륨(GaN, Gallium Nitr…
2026.04.28 by 배종인 기자
“초저전력 전력반도체 SiC·GaN 주도”
전력 공급 능력이 AI 혁신의 속도와 성패를 가늠하는 핵심 요소로 부상하고 있는 가운데 이론적 한계에 부딪힌 실리콘을 대신해 새로운 전력 반도체 소재로 급부상하고 있는 SiC, GaN이 주도하는 반도체 시장에 대해 살펴봤다.
2026.04.23 by 배종인 기자
중동발 에너지 쇼크, ‘손실을 줄이는 칩’으로 몰린다
중동발 유가·가스 급등이 전력 생산비와 도매가격을 통해 산업 전반의 비용 구조를 흔들고 있는 가운데, 초저전력 전력반도체가 단순 부품 교체가 아닌 전력 아키텍처의 재설계로 에너지 비용과 탄소·효율 규제가 겹치는 구간에서 가장 확실한 비용 절감 수단으로 자리매김하고 있다…
2026.04.23 by 배종인 기자
ST, 모션 제어용 GaN 게이트 드라이버 2종 공개
ST마이크로일렉트로닉스가 모션 제어와 전력 스테이지를 겨냥한 고속 하프브리지 GaN 게이트 드라이버 2종을 공개했다. 새 제품은 220V용 STDRIVEG212와 600V용 STDRIVEG612로, 5V 게이트 구동과 보호 기능, 부트스트랩, LDO를 한 패키지에 묶은…
2026.04.14 by 배종인 기자
“전력반도체, 수명 계산하며 끝까지 검증해야 하는 시스템 핵심 요소”…개발자가 꼭 알아야 할 핵심 포인트
전력반도체가 전기차, AI 데이터센터, 재생에너지 장비처럼 전기를 많이 쓰는 제품의 성능을 좌우하는 핵심 부품으로 주목 받으며, 전력반도체를 이용하는 개발자들이 전력반도체 수명 예측과 이를 검증할 수 있는 기술에 대한 요구가 증가하고 있다. 이에 개발자가 꼭 알아야 할…
2026.04.13 by 배종인 기자
“소자만 바꾸면 끝”은 착각…SiC·GaN 시대, 개발자 실무 체크리스트 10
탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN)은 더 높은 전압과 온도, 더 빠른 스위칭을 가능하게 해 전기차, AI 데이터센터, 산업용 전원, 재생에너지 설비의 효율을 끌어올리는 핵심 소자로 주목받고 있는 가운데 개발자들이 GaN, SiC 반도체를 사용할 때 실무에서 어떤 것들…
2026.04.10 by 배종인 기자
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실리콘 한계 넘는 WBG 반도체, 전력 시장 판 바꾼다
인공지능(AI) 데이터센터의 전력 수요가 급증하고, 전기차와 재생에너지 설비가 전 산업으로 확산되면서 전력 반도체 시장의 중심축이 SiC, GaN 등의 와이드밴드갭(WBG) 반도체로 옮겨가고 있다. 와이드밴드갭 전력반도체 시장에서는 TI, 인피니언, ST, 온세미, 울…
2026.04.10 by 배종인 기자
ST, 가전·산업용 모터 제어용 GaN 레퍼런스 디자인 공개
ST마이크로일렉트로닉스가 가전제품과 산업용 드라이브용 모터 제어를 겨냥한 GaN 기반 레퍼런스 디자인 ‘EVSTDRVG611MC’를 공개했다. 이 보드는 STDRIVEG611 게이트 드라이버, 650V급 GaN HEMT, STM32G431 마이크로컨트롤러를 결합한 3상…
2026.03.30 by 배종인 기자