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TI, 우주 등급 200V GaN FET 게이트 드라이버 출시
텍사스 인스트루먼트(TI)가 22V에서 200V까지의 폭넓은 전압대와 다양한 방사선 내성 수준을 지원하는 우주 등급의 하프 브리지 질화 갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET) 게이트 드라이버를 출시하며, 모든 유형의 우주 항공 임무에서 전력 시스템의 효율성을 향상…
2025.02.25 by 명세환 기자
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저조한 SiC 반도체, 재생에너지·AI 데이터센터서 주목
전기차 수요 저하와 선제적인 화합물 반도체 공급 및 투자가 맞물리면서 SiC 밸류체인 기업들의 실적 저조가 눈에 띄고 있다. 다만 재생에너지·AI 데이터센터향 전력반도체 시장을 개척한다면 수요의 다운 사이클 없는 순환 사이클 시장이 될 수 있어 가시적인 실적 상승이 본…
2025.02.10 by 권신혁 기자
로옴·TSMC, GaN 파워 디바이스 ‘맞손’
로옴(ROHM) 주식회사와 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited(TSMC)가 오토모티브용 GaN 파워 디바이스 개발에 손을 맞잡으며, 전기자동차 및 산업기기 분야에서 GaN 기술의 적용 확대에 본격 나선다.
2024.12.12 by 배종인 기자
웨이비스, 64억원 규모 방산 레이더용 X-대역 FEM 과제 수주
웨이비스가 국방기술진흥연구소에서 주관하는 총 64억원 규모의 ‘차세대 방공무기체계 레이더용 X-대역 FEM (프론트엔드 모듈) 연구개발 과제’ 수행업체로 선정됐다고 5일 밝혔다.
2024.11.05 by 명세환 기자
韓-스웨덴 전력반도체 포럼 개최...'화합물 전력반도체·전력전자' 강조
현대 사회의 지능화에 따른 전력 수요와 효율적인 에너지 솔루션에 대한 글로벌 수요가 지속적으로 증가함에 따라, 전력반도체가 탄소 저감 및 에너지 전환을 위한 핵심 기술로 부상하고 있다.
2024.11.04 by 명세환 기자
최시훈 인피니언 매니저, “고용량 파워 애플리케이션, ‘WBG 디바이스 적용 필수’”
[편집자주] 이산화탄소 배출 증가와 지구온난화에 대응해 전세계는 2050년 탄소 중립 시나리오에 따라 탄소 감축을 진행하고 있다. 오늘날 전기차(EV) 트렌드는 산업계가 탄소 중립 목표를 달성하는 과정에서 촉발됐으며, EV 충전 애플리케이션 수요 증가에 따른 WBG(W…
2024.10.31 by 권신혁 기자
웨이비스 코스닥 상장까지 한 걸음...공모희망가 11,000원↑·최소 163억 조달 예상
국내 유일 GaN RF 반도체 IDM 기업인 웨이비스가 기술특례상장을 통해 코스닥 상장을 도전한다.
2024.08.23 by 권신혁 기자
인피니언, ‘CoolGaN™ 트랜지스터’ 비테스코 DCDC 컨버터 성능 향상 이끈다
인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)의 650V CoolGaN™ 트랜지스터가 비테스코 테크놀로지스의 DCDC 컨버터에 사용되며, 시스템 성능을 크게 향상시키고, 시스템 비용을 최소화했다.
2024.08.19 by 배종인 기자
인피니언, 세계 최대 SiC 전력 반도체 팹 오픈…말레이시아 쿨림
인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)가 말레이시아 쿨림에 세계 최대 SiC(실리콘카바이드) 전력 반도체 팹을 오픈하며, 와이드밴드갭 반도체 글로벌 시장 공략에 박차를 가한다.
2024.08.08 by 배종인 기자
인피니언의 이노사이언스 GaN 특허소송, 단순 소송 아닌 미래 AI·데이터센터 시장 걸렸다
글로벌 반도체 기업인 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)와 중국의 이노사이언스(Innoscience)의 특허침해 소송이 단순한 기술 침해를 넘어 미래 인공지능(AI) 서버 및 데이터센터용 GaN(질화갈륨, 갈륨나이트라이드) 전력반도체 시장 선…
2024.08.08 by 배종인 기자
인피니언, 20% FoM 성능 더 우수한 GaN 제품군 출시
인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 시중의 다른 GaN(갈륨나이트라이드, 질화갈륨) 제품 대비 입력 및 출력 FoM(figures-of-merit)이 20% 더 우수한 가성비 있는 새로운 CoolGaN™ 트랜지스터 700V G4 제품군을 새롭게 선보이며, …
2024.07.01 by 배종인 기자
전력반도체 글로벌 각축전 ST 1위...中-메이저 격차↓, 공급 과잉 리스크↑
전력반도체 시장이 SiC와 GaN 기반으로 패러다임 전환하면서 주요 플레이어들의 투자와 시설 확장 치열이다. ST가 글로벌 각축전에서 1위를 수성한 가운데 중국의 화합물 전력반도체 자급 생태계 구축이 가속화되면서 향후 업계 및 시장 지형도에 큰 변수로 떠오르고 있다.
2024.06.25 by 권신혁 기자
TI, 업계 최초 GaN IPM 공개…가전 시장 요구 한 번에 해결
텍사스 인스트루먼트(이하TI)가 작은 사이즈, 합리적인 가격, 높은 효율성에 대한 시장의 요구를 한 번에 잡을 수 있는 GaN 기술을 활용한 지능형 전력 모듈(IPM)을 출시했다.
2024.06.13 by 성유창 기자
인피니언, 8인치 파운드리 공정 기반 CoolGaN™ 트랜지스터 제품군 출시
향후 5년간 46%의 연평균 성장률(Yole Group 전망)로 성장이 예상되는 GaN 디바이스 시장에서 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 CoolGaN의 강점과 생산 용량을 더욱 확장할 것이라 밝혔으며, 이 계획의 일부인 새로운 CoolGaN 제품군을 선보인다.
2024.06.04 by 성유창 기자
ETRI, 국내 기업 GaN 반도체칩 설계·제작 돕는다
한국전자통신연구원(ETRI)은 4일 원내에서 산·학·연 관련 관계자가 참석한 가운데, 과학기술정보통신부 ‘통신용 화합물반도체 연구 파운드리 구축사업’으로 개발한 세계적 수준인 150나노(0.15um) 질화갈륨 마이크로파집적회로(MMIC) 설계키트(PDK) 공개발표회를 …
2024.04.05 by 배종인 기자