삼성전자가 DDR5 D램 모듈의 성능을 높이고 전력 사용을 줄이는 PMIC 3종을 공개하며, 시스템반도체 라인업을 확대한다. PMIC를 외부 기판에 탑재하던 DDR4 D램과 달리, DDR5 D램부터는 PMIC를 D램 모듈 기판에 직접 탑재한다. PMIC와 D램이 하나의 모듈에 있어 전원을 안정적이고 빠르게 공급해 메모리 성능 향상과 동시에 오작동을 최소화할 수 있다.
삼성전자, DDR5 D램 모듈용 PMIC 3종 공개
엔터프라이즈용 S2FPD01 및 S2FPD02,
클라이언트용 S2FPC01, 메모리 성능 지원해
삼성전자는 18일, DDR5 D램 모듈의 성능을 극대화하고 전력 사용을 최소화하는 전력관리반도체(Power Management IC; PMIC) 3종을 공개했다.
▲ DDR5 D램 모듈용 PMIC [사진=삼성전자]
삼성전자는 2010년 PMIC 분야에 처음 진출한 이후 스마트폰, 태블릿 등 모바일용 제품과 PC, 게임기, 무선 이어폰에 탑재되는 PMIC를 출시하고 있다. 이번 삼성전자 PMIC, ‘S2FPD01, S2FPD02, S2FPC01’ 제품은 DDR5 D램 모듈에 탑재돼 D램의 성능을 높이고 동작 전력을 줄이는 반도체로 활용될 예정이다.
PMIC를 외부 기판에 탑재하던 DDR4 D램과 달리, DDR5 D램부터는 PMIC를 D램 모듈 기판에 직접 탑재한다. PMIC와 D램이 하나의 모듈에 있어 전원을 안정적이고 빠르게 공급해 메모리 성능 향상과 동시에 오작동을 최소화할 수 있다.
삼성전자는 자체 설계 기술인 ‘비동기식 2상 전압 강하 제어 회로(Asynchronous based dual phase buck control scheme)’를 적용해 전압 변화를 실시간 감지하고 출력 전압을 일정하게 유지하게 했다. 이 기술로 DDR5 D램의 데이터 읽기, 쓰기 속도를 안정적으로 지원하며, 기존에 전압을 일정하게 유지하기 위해 쓰던 적층세라믹콘덴서(MLCC)의 사용량도 줄일 수 있어 설계 편의성이 높아졌다.
엔터프라이즈용 PMIC, S2FPD01, S2FPD02에는 출력 전압을 효율적으로 조정하는 ‘하이브리드 게이트 드라이버(Hybrid Gate Driver)’를 적용해 전력효율을 업계 표준보다 1% 높은 91%까지 향상했다. 또한, 클라이언트용 DDR5 D램 모듈에 탑재되는 S2FPC01에는 저전력 90nm(나노미터)공정을 적용해 칩 면적을 줄였다.