SK하이닉스, 1a EUV 공정기술 안정성 확보
이전 세대 제품 대비 생산성 약 25% 향상
LPDDR4 이어 DDR5 공정에 내년 적용


SK하이닉스는 12일, 10나노급 1a 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달 초 시작했다고 밝혔다. 1a는 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)에 이은 4세대 10나노급 기술로, 신제품은 하반기부터 공급된다.

1a LPDDR4 모바일 D램은 SK하이닉스 D램 중 최초로 EUV 공정으로 양산된다. 하이닉스는 과거 1y 제품 생산 과정에 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인했다.

공정의 미세화로 반도체 기업들은 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에 EUV 장비를 잇달아 도입하고 있다. 업계는 EUV 활용 수준이 기술 리더십의 우위를 결정짓는 요소가 될 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼, 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산할 방침이다.

또한, 신제품의 생산성이 높아져 원가 경쟁력도 높아졌다. 1a D램은 1z 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 수량이 약 25% 많다. 올해 전 세계적으로 D램 수요가 늘면서 1a D램이 큰 역할을 해줄 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다.

신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 구현했고, 전력 소비도 기존 대비 약 20% 줄였다. SK하이닉스는 이번 LPDDR4 D램에 이어, 지난해 10월 출시한 DDR5 D램에는 내년 초부터 1a 기술을 적용할 계획이다.

SK하이닉스 1a D램 TF장 조영만 부사장은 “1a D램은 생산성과 원가 경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품”이라며 “EUV를 양산에 본격 적용함으로써 첨단 기술 선도 기업으로서의 위상을 공고히 할 것”이라고 밝혔다.