2026년 08월 09일(일)
애질런트 B1505A를 이용한 Wide Band-Gap 파워 소자의 전기적 특성 측정

2014.04.22 10:30~14:00

Keysight / 김진홍 부장

웨비나정보웨비나Q&A

  • 김성박2014-04-22T11:08:56.000Z

    moswld@lgdisplay.com --> mosworld@lgdisplay.com 으로 수정 부탁드립니다.

  • 2014-04-22T11:10:03.000Z

    네, 세미나 종료 후 수정해드리도록 하겠습니다. 참여해주셔서 감사합니다^^

  • 김수열2014-04-22T11:08:12.000Z

    측정오차 보정은 어떤식으로 하는지요?

  • 2014-04-22T11:11:37.000Z

    data sheet에 자세히 나와있습니다. 기본적으로 각 module별로 spec이 있고, 장비에서 해당 spec에 대한 자체 검증이 있습니다.

  • 정대식2014-04-22T11:08:12.000Z

    pulse 측정 기능은 Stair case 형태로 Pulse가 뜨는 건가요? 그리고 Tr. 의 Bias Temp Stress 측정시 Pulse Mode 측정이 가능한 가요?

  • 2014-04-22T11:10:39.000Z

    네, 가능합니다 단 저희장비는 온도 인가기능은 없습니다

  • 이경원2014-04-22T11:07:48.000Z

    gate와 drain leakage current test 가능한지요? 그리고 accurate는 어떻게 되는지요?

  • 2014-04-22T11:09:27.000Z

    네, 가능합니다, 최저성능은 sub pA입니다.

  • sang jun seo2014-04-22T11:07:47.000Z

    파워소자 ON 저항을 측정하는 원리가 R=V/I 인가요?

  • 2014-04-22T11:08:47.000Z

    네, 거기에 4terminal (Kelvin)측정 원리를 이용한 것입니다

  • 무명2014-04-22T11:06:11.000Z

    혹시 이곳에 물어볼 것은 아닌것 같지만.. Ron 저항을 측정하였을 때, 그 저항값에 따라 출력 전력이 차이가 난다는 부분에 대해 들어본 적이 있으신지요??

  • 2014-04-22T11:14:19.000Z

    일반적으로 저항은 입력값과는 관계없이 선형이 되어야 정상입니다만, Wafer level에서 구현한 경우 입력값이 너무 크면 선형이 나오진 않습니다 반대로 너무 낮아도 마찬가지입니다.

  • 무명2014-04-22T11:05:58.000Z

    장비의 기반OS가 윈도우7이라던데..특별한 이유가 있나요?

  • 2014-04-22T11:07:59.000Z

    일반적으로 controller와 장비 일원화를 위해 PC + 장비 형식의 플랫폼을 많이 사용합니다.

  • 무명2014-04-22T11:04:49.000Z

    측정범위를 늘리고자 한다면 고성능의 프로브로 교체만 하면 되나요?

  • 2014-04-22T11:07:07.000Z

    B1505A의 module을 upgrade/교체를 하시면 됩니다.

  • 김동섭2014-04-22T11:03:32.000Z

    전압 입력의 가변 범위는 어느정도입니까?

  • 2014-04-22T11:06:18.000Z

    분해능을 말씀하시는 거인지요?

  • 김동규2014-04-22T11:02:36.000Z

    GaN과 SiC 소자의 특성 차이에 따른 적용 가능한 분야가 다른것으로 압니다만 소자별 시장 비중은 어느정도인가요 ?

  • 2014-04-22T11:05:23.000Z

    현재까지는 SiC가 좀더 큽니다, GaN은 요근래 부터 성장세가 강합니다.
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