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하드웨어 회로 능동소자의 이해

MouserElectronics / 박경진 교수

  • 장*길2019-01-24 오후 12:00:40

    플라잉백 다이오드라고 있는거 같은데...리커버리 다이오드로 알고 있습니다. 잔여 전류를 빼주는 기능인거 같은데...보충 설명 부탁드립니다
  • 정*배2019-01-24 오전 11:53:37

    FET를 사용할때 게이트 드라이버칩을 사용하는 경우가 있는것으로 알고 있습니다. 분리된 전원을 만들어 주는건 알겠는데요... 게이트 드라이버 출력단의 전류 용량은 왜 있는것인가요?
  • 이*근2019-01-24 오전 11:48:17

    강의 내용이 좋고 기술중심적이네요.. 다른 세미나하고 차별이 있네요. 준비 많이하셨네요.
  • Mouser_22019.01.24

    감사합니다. 마우저에서는 앞으로도 유익한 웨비나를 진행할 예정이며, 듣고싶은 주제를 설문에 적어주시면 반영하여 준비하겠습니다
  • 지*호2019-01-24 오전 11:47:31

    [질문]고조파 주파수는 모든 소자에 영향이 있다면, 능동소자는 수동소자에 비해 더 영향이 큰지 궁금합니다.
  • 전*준2019-01-24 오전 11:47:19

    MOSFET에서 기생다이오드 성분이 생기는 원리를 알 수 있을까요?
  • Mouser_12019.01.24

    공정상에서의 물성 특성을 표현한 것입니다.
  • 김*주2019-01-24 오전 11:46:56

    오늘 세미나 다이오드, TR, mosfet 성능비교가 확실히 정립되어 많은 도움이 되었습니다. 다음 세미나도 기대됩니다. 감사합니다.
  • Mouser_22019.01.24

    감사합니다. 마우저에서는 앞으로도 유익한 웨비나를 준비할 예정이며, 듣고싶은 주제를 설문에 적어주시면 반영하겠습니다
  • 무명2019-01-24 오전 11:46:43

    트랜스컨덕턴스 gm의 의미가 소자특성에서 어떤 의미가 있는지 궁금합니다!
  • 전*락2019-01-24 오전 11:46:26

    48V의 전압을 40V로 강압하려면 제너다이오드를 이용하여 가능한가요? 아니면 다른 방법이 있다면 뭐가 있을까요?
  • Mouser_12019.01.24

    레귤레이터를 이용하여 할 수도 있습니다.
  • 지*호2019-01-24 오전 11:46:23

    [질문]능동소자 중 oled 같은 경우, 번인 현상은 특성에 의해 발생되는 것인지 궁금합니다.
  • 이*태2019-01-24 오전 11:45:57

    입력시 돌입전류관련해서는 1차측 입력에 전류제한 소자등을 이용해서 인러쉬전류를 제한해야하나요? 그외 좋은 방안이 있을까요?
  • Mouser_12019.01.24

    네 맞습니다.
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