MRAM(Magnetic Random Access Memory)은 빠른 속도, 대용량, 고집적화가 가능한 메모리이다. 세계 각국의 기업들은 MRAM 개발에 박차를 가하고 있으며 이미 상용화가 진행 중이다. 그 뿐만 아니라 정부 차원에서의 투자도 적극적으로 추진 중이다...
2019.11.26by 김동욱 연구원
MRAM(Magnetic Random Access Memory)은 빠른 속도, 대용량, 고집적화가 가능한 메모리이다. 다양한 분야에서 기존의 메모리를 대체할 것으로 전망되며 MRAM 시장 규모 또한 상승세를 지속할 것으로 예상된다. 요구 기술 MRAM의 MT..
2019.11.19by 김동욱 연구원
화웨이, 5G 기반 AI 컴퓨팅 플랫폼 보급 소프트뱅크, 美 도심 99% 5G 공급 추진 삼성, 3GAE 공정 기술로 팹리스와 협업 한국은 2018년 평창동계올림픽에서 5G 기술을 세계 최초로 선보인 이후 2019년을 5G 상용화 해로 선언했다. SKT 박..
2019.11.19by 최인영 기자
| '19말까지 15개, '20말까지 18개 팹 신규 건설 | '19 건설 팹, '20 중반부터 월 74만 웨이퍼 생산 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 16일 공개한 전 세계 팹(Fab) 전망 보고서에 따르면, 2020년에 새롭..
2019.09.16by 이수민 기자
| 6GB에 이어 7월, 12GB 패키지 라인업 확대 | 기존 제품 대비 속도 약 1.3배 향상 | 소비전력 최대 30% 감소 삼성전자가 12Gb LPDDR5 양산에 세계 최초로 성공했다. 삼성전자 12Gb LPDDR5 모바일 D램 삼성전자는 18일..
2019.07.22by 이수민 기자
| 삼성 파운드리 포럼 2019 코리아 개최 | 국내 시스템 반도체 기업 500명 이상 참석 | 초미세 EUV 공정부터 맞춤형 8인치 공정 지원 삼성전자가 반도체 비전 2030을 공고히 했다. 삼성 파운드리 포럼 2019 기조연설 삼성전자는 3일,..
2019.07.04by 이수민 기자
| EUV 기술로 5나노 공정 개발 성공 | 7나노 대비 면적 25%↓ 전력효율 20%↑ | MPW, SAFE 통해 국내 반도체 생태계 강화 삼성전자가 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 기술을 기반으로 5나노 공정 개발..
2019.04.17by 이수민 기자
| DRAM 속도, 플래시 비휘발성 장점 결합 | SoC에 MRAM 내장해 칩 소형화 이룩 | 설계 구조 단순해 생산비용 크게 줄여 삼성전자가 6일, 28㎚ FD-SOI 공정 기반 eMRAM(embedded MRAM) 솔루션 제품을 출하했다. FD-SOI..
2019.03.06by 이수민 기자
삼성 파운드리 포럼 통해 공개 광범위한 공정 로드맵과 FD-SOI 솔루션 발표 삼성전자는 미국 산타클라라에서 '삼성 파운드리 포럼(Samsung Foundry Forum)'을 개최했다. 삼성전자는 이번 포럼에서 파운드리(..
2017.05.25by 김지혜 기자
메모리, 장비 시장 2018년까지 성장할 것 2019년부터는 중국 반도체 산업 정책이 변수 반도체 시장의 호황이 이어지는 가운데 IT분야 시장조사기관인 가트너는 14일 보고서에서 “D램과 낸드 플래시 메모리 가격인상과 생산량 증가..
2017.05.01by 김지혜 기자
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