마이크로칩 9월
‘전력변환’ 키워드 기사 2건
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    고전류 전원 설계 한계 직면, ‘GaN 집적화’ 해법 급부상

    GaN 기반 집적형 전력변환 기술이 AI 서버·데이터센터·로봇 등 고전류 환경에서 실리콘의 한계를 대체하며 핵심 솔루션으로 부상하고 있다. 텍사스인스트루먼트(TI, Texas Instruments)의 LMG708B0·LMG5126은 최대 50% 소형화된 면적에서도 동일…

    2026.09.15 by 배종인 기자

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    마우저, 온세미 가넥서스 GaN FET 공급 개시

    마우저 일렉트로닉스가 온세미의 GaNEXUS GaN FET 공급을 시작한다. 40V~650V 전압 범위를 지원하는 이 제품은 고속 스위칭과 높은 전력 밀도로 AI 서버, 데이터센터, 산업 자동화, 로보틱스 등 다양한 애플리케이션을 대응한다. 와이드 밴드갭 특성을 활용해…

    2026.09.11 by 배종인 기자